电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。 A、1.8~2.2kΩB、2.3~2.5kΩC、3.0~3.3kΩD、4.0~4.5kΩ

电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。

A、1.8~2.2kΩ

B、2.3~2.5kΩ

C、3.0~3.3kΩ

D、4.0~4.5kΩ


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非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。 A、2.0~2.3ΩB、2.3~2.5ΩC、3.0~3.3ΩD、4.0~4.5Ω

电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:引线端子对机壳绝缘()。 A、小于25MΩB、大于25MΩC、大于30MΩD、小于30MΩ

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