非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。 A、2.0~2.3ΩB、2.3~2.5ΩC、3.0~3.3ΩD、4.0~4.5Ω

非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。

A、2.0~2.3Ω

B、2.3~2.5Ω

C、3.0~3.3Ω

D、4.0~4.5Ω


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非电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:引线端子对机壳绝缘()。 A、大于25MΩB、小于25MΩC、大于30MΩD、小于30MΩ

电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:输入阻抗为()。 A、1.8~2.2kΩB、2.3~2.5kΩC、3.0~3.3kΩD、4.0~4.5kΩ

电气化区段4信息移频自动闭塞,衰耗隔离电子盒的主要技术指标:引线端子对机壳绝缘()。 A、小于25MΩB、大于25MΩC、大于30MΩD、小于30MΩ

ZP²W1-18型移频自动闭塞系统采用的技术方案为:自然衰耗+频标+陷波隔离、一送一受、电压发送电流接收。() 此题为判断题(对,错)。

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