汽奋性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对A.C1-的通透性B.K+的通透性C.Na+的通透性D.Ca2+的通透性E.HCO3-的通透性
汽奋性突触后电位的产生是由于突触后膜提高了对
A.C1-的通透性
B.K+的通透性
C.Na+的通透性
D.Ca2+的通透性
E.HCO3-的通透性
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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( ) A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A．突触后膜对Na+通透性升高，局部去极化B．突触后膜对Cl-通透性升高，局部去极化C．突触后膜对Cl-通透性升高，局部超极化D．突触后膜对K+通透性升高，局部超极化E．突触后膜对K+通透性升高，局部去极化
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种（些)离子通透性变化所致A．Na+或K+通透性升高B．Ca2+或K+通透性升高C．Ca2+或Cl-通透性升高D．K+或Cl-通透性升高