某患者左下颌3456缺失,行可摘局部义齿修复,余留牙正常,针对最近基牙左下颌侧切牙的切端设计切支托凹,切支托凹由唇舌两个凹斜面构成,应预备A.宽约2.0mm,深2mmB.宽约2.0mm,深1.5mmC.宽约2.0mm,深1.5~2mmD.宽约2.5mm,深1~1.5mmE.宽约2.5mm,深2.5mm
某患者左下颌3456缺失,行可摘局部义齿修复,余留牙正常,针对最近基牙左下颌侧切牙的切端设计切支托凹,切支托凹由唇舌两个凹斜面构成,应预备
A.宽约2.0mm,深2mm
B.宽约2.0mm,深1.5mm
C.宽约2.0mm,深1.5~2mm
D.宽约2.5mm,深1~1.5mm
E.宽约2.5mm,深2.5mm
B.宽约2.0mm,深1.5mm
C.宽约2.0mm,深1.5~2mm
D.宽约2.5mm,深1~1.5mm
E.宽约2.5mm,深2.5mm
参考解析
解析:切支托凹预备:切支托凹位于下颌尖牙近中切嵴或下颌切牙的切端,宽约2.5mm,深1~1.5mm,呈浅凹形,由唇舌两个凹斜面构成。
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某患者左下颌3456缺失,行可摘局部义齿修复,余留牙正常,针对最近基牙左下颌侧切牙的切端设计切支托凹,切支托凹由唇舌两个凹斜面构成,应预备A、宽约2.0mm,深2mmB、宽约2.0mm,深1.5mmC、宽约2.0mm,深1.5~2mmD、宽约2.5mm,深1~1.5mmE、宽约2.5mm,深2.5mm
患者,男,左上45缺失,右上56缺失,行可摘局部义齿修复,有关预备(牙合)支托错误的是A、支托凹呈匙形B、在缺隙两侧基牙(牙合)面的近、远中面C、前磨牙(牙合)面颊舌径的1/2D、磨牙(牙合)面颊舌径的1/3E、支托凹在基牙边缘嵴处最宽
某患者下颌47、46、45、35、36、37缺失,余留牙正常,前庭沟较浅。采用可摘局部义齿修复时,正确的做法是A、模型观测应该采用平均倒凹法B、44、34基牙上应采取RPI卡环C、基牙可以选择全部余留牙D、下颌牙槽嵴区取印模时应尽量扩展E、应该采用闭口式印模
某女性患者,30岁,缺失,余留牙正常,口底至舌侧龈缘的距离为10mm,设计铸造支架义齿,采用RPI卡环组。那么基牙预备时应备出A.近中支托凹、远中导平面B.近中支托凹、舌侧导平面C.近中支托凹、远中支托凹D.近中支托凹、颊侧导平面E.远中支托凹,远中导平面
患者,男,45岁,缺失,面2度龋、近中舌向倾斜、不松动,余留牙牙石2度,左侧下颌隆凸明显、倒凹大,舌侧前部牙槽骨为斜坡型,口底深7mm,上颌牙完全正常设计可摘局部义齿时,选择安放支托和卡环的最好基牙是A.B.C.D.E.
缺失,余留牙正常,口底至舌侧龈缘距离约10mm。拟采用铸造支架式义齿。设计RPI卡环,基牙预备时应预备出A.远中支托凹,远中导平面B.近中支托凹,远中导平面C.近中支托凹,舌侧导平面D.近中支托凹,颊侧导平面E.舌侧支托凹,舌侧导平面
患者男,65岁。下颌缺失,余牙正常,设计铸造支架式义齿如果为RPI卡环组设计,基牙预备时应备出A.近、远中支托凹B.近中支托凹、远中导平面C.近中支托凹、舌侧导平面D.近中支托凹、颊侧导平面E.远中支托凹、远中导平面
患者下颌缺失,拟做可摘局部义齿修复,下面说法不正确的是A.该可摘局部义齿为混合支持式B.应该取得功能性印膜C.如使用RPI卡环,基牙预备时候要预备近中支托凹D.该患者确定颌位关系的方法是用余留牙直接确定E.该患者属于KenneDy第一类第一亚类
患者下颌8765 5678缺失,采用双侧下颌4 RPI卡环组,基牙预备出时应制备()。A、近中牙合支凹,舌侧导平面B、近中牙合支托凹,远中导平面C、远中牙合支托凹,舌侧导平面D、远中牙合支托凹,远中导平面E、近中牙合支托凹,颊侧导平面
患者,男,46岁,8765|,|5678缺失,余留牙正常,设计可摘局部义齿修复,4|和|4设计RPI卡环组双侧第一前磨牙预备时应制备()。A、近中和远中支托凹B、近中支托凹,舌侧导平面C、远中支托凹,舌侧导平面D、近中支托凹,远中导平面E、远中支托凹,远中导平面
近远中边缘组合型铸造支托多用于()。患者男,50岁,缺失,拟行可摘局部义齿修复,做基牙,行支托凹预备A、基牙近远中均无缺牙的基牙B、基牙近远中均有缺牙的基牙C、基牙一侧有缺牙的前磨牙D、基牙一侧有缺牙的磨牙E、基牙一侧有缺牙的尖牙
患者双侧下颌第二前磨牙、第一、二、三磨牙缺失,采用双侧下颌第一前磨牙RPI卡环组,基牙预备出时应制备( )A、近中支托凹,舌侧导平面B、近中支托凹,远中导平面C、远中支托凹,舌侧导平面D、远中支托凹,远中导平面E、近中支托凹,颊侧导平面
单选题患者,男,46岁,8765|,|5678缺失,余留牙正常,设计可摘局部义齿修复,4|和|4设计RPI卡环组双侧第一前磨牙预备时应制备()。A近中和远中支托凹B近中支托凹,舌侧导平面C远中支托凹,舌侧导平面D近中支托凹,远中导平面E远中支托凹,远中导平面
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