三极管的PC大于等于（）W为大功率管。A.1B.2C.3D.4

三极管的PC大于等于（）W为大功率管。

A.1
B.2
C.3
D.4

参考解析

解析：

相关考题：

1mol理想气体进行绝热可逆膨胀过程的W() A、大于零B、小于零C、等于零D、大于等于零
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半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对，错)。
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元件装焊顺序是:() A.电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B.电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C.电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D.电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
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元器件装焊顺序是:()。 A.电阻器→二极管→三极管→电容器→集成电路→大功率管B.电阻器→三极管→电容器→二极管→集成电路→大功率管C.电阻器→二极管→电容器→三极管→大功率管→集成电路D.电阻器→二极管→电容器→三极管→集成电路→大功率管
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inta,*p,**w;p=取a的值的表达式为( )。 A.&aB.&*pC.**pD.**w
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在项目财务评价中，动态投资回收期(Pb)与基准回收期(Pc)相比较，如果Pb( )Pc，则开发项目在财务上就是可以接受的。A．大于等于B．大于C．小于等于D．无关系
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三极管的PC大于1 W为大功率管。（）
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三极管的fa大于等于（）MHz为高频管。A.1B.2C.3D.4
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洁净度等级N=6的洁净室内空气中，粒径大于或等于0.5μm的悬浮粒子的最大允许浓度值为下列哪一项？A.35200pc/m3B.3520pc/m3C.1000000pc/m3D.6pc/m3
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一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A、2W的功率管1个B、1W的功率管1个C、2W的功率管2个D、1W的功率管2个
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PC中型机的输入输出（I/O）点数为（）。A、小于256点B、等于256点C、大于2048点D、256—2048点
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三极管的功率大于等于（）为大功率管。A、1WB、0.5WC、2WD、5W
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对于三极管的功率在1W以上的大功率管，可用万用表的（）挡测量。A、R×1或R×10B、R×100或R×10C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K
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对于大功率管，为防止功率过高而烧坏管子。常在三极管上加（）。
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晶体三极管3AX中X表示（）。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管
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元件装焊顺序是：（）A、电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B、电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C、电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D、电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
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型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
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压力势呈负值时，细胞的Ψw（）。A、大于ΨsB、等于ΨsC、小于ΨsD、等于0
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采用双电源互补对称（）电路，如果要求最大输出功率为5W，则每只三极管的最大允许功耗PCM至少应大于（）W。
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甲乙类功放器中三极管的导通角等于（）。A、180°B、大于180°而小于360°
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三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
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半导体功率管大小以1W为界限。
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单选题压力势呈负值时，细胞的Ψw（）。A大于ΨsB等于ΨsC小于ΨsD等于0
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单选题已知功率管的管芯至管壳的热阻为1.2℃/W，管壳至散热器的热阻为2.0℃/W，散热器至自由空气的热阻为10℃/W，环境温度为70℃，如功率管的损耗为6W，工作半小时后，管芯温度大约为（）。A149.2℃；B79.2℃；C70℃；D102℃；
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单选题一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A2W的功率管1个B1W的功率管1个C2W的功率管2个D1W的功率管2个
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单选题在项目财务评价中，动态投资回收期(Pb)与基准回收期(Pc)相比较，如果Pb（　）Pc，则开发项目在财务上就是可以接受的。A大于等于B大于C小于等于D无关系
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单选题晶体三极管3DA的器件类别是（）A低频小功率管B高频大功率管C高频小功率管D低频大功率管
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