早期的FPM和EDO内存的工作电压为()。A、5VB、3.3VC、2.8VD、3.6V

早期的FPM和EDO内存的工作电压为()。

  • A、5V
  • B、3.3V
  • C、2.8V
  • D、3.6V

相关考题:

PC机中DRAM内存条的类型有多种,若按存取速度从高到低的顺序排列,正确的是:A.SDRAM,RDRAM,EDO DRAMB.RDRAM,SDRAM,EDO DRAMC.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMD.RDRAM,EDO DRAM,SDRAM

为提高PC机主存储器的存取速度,出现了多种类型的DRAM内存条,若按存取速度从低到高排列,正确的顺序是( )。A.EDO DRAM,SDRAM,RDRAMB.EDO DRAM,RDRAM,SDRAMC.SDRAM,EDO DRAM,RDRAMD.RDRAM,DEO DRAM,SDRAM

EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。 A.没有区别B.EDO RAM比FPM DRAM的快C.FPM DRAM比EDO RAM的快D.EDO RAM比FPM DRAM小E.FPM DRAM比EDO RAM价格高

目前,计算机常用的内存条芯片为哪两种()。 A.SDRAMB.EDO-RAMC.DDRSDRAMD.RDRAM

内存按技术规格分,可分为哪几种类型() A.EDO内存B.SDRAM内存C.DDR内存D.Rambus内存

聚合物锂电池单片电压为()A、标称电压3.7V,满电电压4.2V,保护电压3.6V,保存电压3.8VB、标称电压3.6V,满电电压4.2V,保护电压3.7V,保存电压3.8VC、标称电压3.7V,满电电压4.2V,保护电压3.8V,保存电压3.6V

碳罐电磁阀工作电压为()A、5VB、8VC、10VD、12V

SDRAM内存工作电压是多少?()A、1.5VB、3.3VC、5VD、12V

磷砷化镓数码管的工作电压为()。A、5VB、20VC、1.5V~3V

PATA接口硬盘的供电电压是多少()A、5VB、3.3VC、12VD、-5V

专变采集终端III型和集中器I型的远程通信单元弱电接口的供电电源为()。A、12V和5VB、12V和3.3VC、5V和3.3VD、4V和3.3V

下列内存中需要的工作电压最低的是()。A、FPM内存B、EDO内存C、DDR内存D、SDRAM内存

芯片类型取决于内存芯片的工作方式,下列哪项不是常用内存芯片()A、EDO DRAMB、DRAMC、RDRAMD、DDR SDRAM

集中器I型本地通信单元弱电接口的供电电源为()。A、12V和5VB、12V和3.3VC、5V和3.3VD、4V和3.3V

SATA硬盘电源线中红色线的正常工作电压是()A、1.5VB、3.3VC、5VD、12V

请选出于CPU外部工作时钟同步的DRAM类型()A、FPM(Fast Page Mode)DRAMB、EDO(Extended Data Out)DRAMC、SDRAM(SynChronous)DRAMD、BEDO(Burst Exten Ded Data Out)DRAM

光电速度传感器的工作电源电压为()。A、5VB、12VC、15VD、24V

笔记本电脑内存多为()A、SIMM接口内存B、EDO内存C、SO-DIMM接口内存D、72线内存

手机内存卡检测脚在插入内存卡时电压为()。A、0VB、1.8VC、2.8VD、4V

性能最高的内存是()。A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、RAMBUS内存

内存按技术规格分,可分为哪几种类型()A、EDO内存B、SDRAM内存C、DDR内存D、Rambus内存

PENTIUM MMX处理器的核心电压为()A、2.0VB、2.2VC、2.8VD、3.0V

笔记本计算机DDRII内存的工作电压是()。A、5VB、3.3VC、2.5VD、1.8V

EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。A、没有区别B、EDO RAM比FPM DRAM的快C、FPM DRAM比EDO RAM的快D、EDO RAM比FPM DRAM小E、FPM DRAM比EDO RAM价格高

普通CMOS门的工作电压一般为()。A、+5VB、+4V~+18VC、+3.3VD、+2.5V

遥控电视机在待命状态时,必须有()直流电压向微处理器供电。A、5VB、8VC、12VD、3.6V

单选题EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。A没有区别BEDO RAM比FPM DRAM的快CFPM DRAM比EDO RAM的快DEDO RAM比FPM DRAM小EFPM DRAM比EDO RAM价格高