单选题再次免疫应答的特点下列哪项是错误的（）A诱导潜伏期短B抗体维持时间长C抗体滴度高D优势抗体为IgGE优势抗体为IgM
单选题
再次免疫应答的特点下列哪项是错误的（）
A
诱导潜伏期短
B
抗体维持时间长
C
抗体滴度高
D
优势抗体为IgG
E
优势抗体为IgM
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解析：
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有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
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有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB.再次应答抗体亲和力高C.再次应答产生IgG的潜伏期长D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
固有免疫细胞不具备的应答特点是（）A、直接识别病原体PAMPB、识别结合相应配体后，立即产生免疫应答C、经克隆扩增和分化后，迅速产生免疫效应D、没有免疫记忆功能，不能引起再次应答E、免疫应答维持时间较短
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
单选题固有免疫细胞不具备的应答特点是（ ）。A直接识别病原体PAMPB识别结合相应配体后，立即产生免疫应答C经克隆扩增和分化后，迅速产生免疫效应D没有免疫记忆功能，不能引起再次应答E免疫应答维持时间较短
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A免疫应答过程中可产生Bm、TmB在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C记忆细胞表达CD45RAD记忆细胞表面分子表达有改变E再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
单选题再次免疫应答的特点下列哪项是正确的（）A诱导潜伏期短B抗体维持时间长C抗体滴度高D优势抗体为IgGE以上都是