多选题关于预饱和技术的叙述,正确的是( )。A增宽饱和带,可增加扫描时间B饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好C预饱和带越多,抑制伪影效果越好D预饱和技术可抑制各种运动伪影E饱和带越宽,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好
多选题
关于预饱和技术的叙述,正确的是( )。
A
增宽饱和带,可增加扫描时间
B
饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好
C
预饱和带越多,抑制伪影效果越好
D
预饱和技术可抑制各种运动伪影
E
饱和带越宽,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好
参考解析
解析:
饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好。
饱和带越窄,越靠近感兴趣区,抑制伪影效果越好。
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关于卷褶伪影的叙述,正确的是()A、卷褶伪影是由于FOV小于受检部位所致B、卷褶伪影主要发生在频率编码方向上C、变换频率编码和相位编码方向可消除卷褶伪影D、施加空间预饱和带可抑制卷褶伪影E、增大FOV可增加卷褶伪影出现的频率
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