判断题用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。A对B错

判断题
用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

半导体色敏传感器又称为( )。 A. 双结光电二极管B. 雪崩式光电二极管C. PIN 型硅光电式二极管D. 光电池

试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

目前光纤通信常用的半导体光电检测器,如()A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容

以下关于万用表的陈述正确的是?()A、当使用电流钳进行测量时,无需断开线路就可直接测量B、测量短路时,万用表显示电阻为0欧姆C、用万用表测量未知的数值时,应该选择最小量程D、通过万用表测量电流和电压值,从而可以计算出电阻值E、在用万用表测量电压和电流时,使用相同的两个接线插口

PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而( )。A、减小B、增大C、趋于饱和D、趋于截止

对于光电管的基本特性,下面说法正确的是()。A、当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时,二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小,而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。

半导体色敏传感器又称为()。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池

用万用表50μA档。用红表笔接光电二极管“+”极,黑表笔接“—”极,在白炽灯下(不能用日光灯),随着光照增强,其电流增加是好的,短路电流可达数十至数百μA。

半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管,浅结的光电二极管对短波长的紫外光灵敏度高,深结的光电二极管对长波长的红外光灵敏度高。

构成CCD的基本单元是()A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器

光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。

填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管,三者中时间常数最大的是()。

填空题单晶硅太阳能电池采用()表面来增加表面积,用沉积Si3N4作()膜来降低入射光的反射,用在扩散层表面氧化生长()nm的钝化层,改变表面层硅原子价键失配,减少表面复合,提高短路电流。用PECVD法沉积Si3N4时,反应中大量的原子H可以降低钝化层与表层硅界面的()

问答题简述PIN光电二极管的工作原理。为什么PIN管比普通光电二极管好?

单选题光照一定,短路电流与入射光波长的关系,属光电池的()特性。A频率B伏安C光谱D温度

问答题试比较硅整流二极管与硅光电二极管的伏安特性曲线,说明它们的差异。

问答题光电二极管色敏器件(即双结二极管)的结构特征和工作原理,与紫外光电二极管有何相似?

判断题用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。A对B错

单选题PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而( )。A减小B增大C趋于饱和D趋于截止

单选题硅光电二极管与硅光电池相比,前者比后者不正确的说法是()A衬底掺杂浓度高;B电阻率高;C光敏面小;D前者反偏后者无偏;

单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D2CR11硅光电池

填空题光电二极管的PN结工作在反偏状态,它的反向电流会随光照强度的增加而()。

问答题影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz?怎样提高硅光电二极管的频率响应?

填空题半导体色敏器件是一个双结光电二极管,由两个()不同的PN结构成。

单选题“光电二极管与光电池相比较,其特性有所不同,下列的说法不不正确的是()A它们的掺杂浓度不同,光电池掺杂浓度较低,而光电二极管掺杂浓度高B它们的电阻率不同,光电池的电阻率低C工作电压偏置条件不同,光电池通常在零偏置下工作,而硅光电二极管通常在反向偏置下工作D它们的光电流的大小不同,硅光电二极管的光电流小得多,通常在微安级

单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲,应选用()为光电变换器件。APIN型光电二极管B3DU型光电三极管CPN结型光电二极管D硅光电池

判断题PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应,还能提高器件的光电灵敏度。A对B错

单选题PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于()A1GHzB100MHzC10MHzD1MHz