硅砖中的二氧化硅在加热过程中晶相的存在形态有()。 A、石英B、磷石英C、方石英D、石英玻璃
焦炉在烘炉升温过程中，180~270℃为膨胀控制点，是由于（）晶型在发生转化，造成硅砖膨胀率增大。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃
在硅砖烧制过程中，应尽可能的使SiO2向（）晶型转化。A.石英B.方石英C.磷石英D.石英玻璃
硅砖中的二氧化硅晶相的存在形态中熔点最高的是()。 A、石英B、磷石英C、方石英D、石英玻璃
烘成较好的硅砖中方石英的含量最高占50-80%；鳞石英次之，只占10-30%；而石英与玻璃相的含量波动在5一15%。
决定硅砖热稳定性好坏的关键是真密度，真密度的大小是确定其石英转化的重要标志之一。
石英晶体控制原理主要是利用了石英晶体的两个效应，即（）和（）。
含SiO2在（）以上的材料统称硅质耐火材料，硅砖以（）为主要原料生产，其SiO2含量一般不低于（），主要矿物组成为磷石英和方石英。
硅砖中的二氧化硅在加热过程中晶相的存在形态有（）。A、石英B、磷石英C、方石英
在石英的晶型转变中，α-鳞石英，β-鳞石英，γ-方石英之间的转变称为（）
在石英晶体震荡器中，往往将石英晶体作为（）元件接到谐振槽路中。A、电阻B、容性C、感性D、线性
石英晶体和压电陶瓷的压电效应对比正确的是（）。A、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好B、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好C、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好D、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好
石英晶体在并联型晶体振荡电路中起电感元件作用，在串联型晶体振荡器中起短路元件作用，石英晶体振荡器的优点是（）。
压电陶瓷的（）比石英晶体大得多。但石英晶体具有很多优点，尤其（）是其他压电材料无法比的。
关于石英晶体的结构下列说法正确的是（）。A、石英晶体具有完全各向异性的特性；B、石英晶体具有完全各向同性的特性；C、石英晶体是介于各向异性和石英晶体具有完全各向异性的晶体；以上说法都不对。
在串联石英晶体振荡电路中，对于振荡信号，石英晶体等效为（）.A、阻值极小的电阻B、阻值极大的电阻
在并联型石英晶体振荡电路中，是把石英晶体置于（）回路中，晶体等效为（），和电容组成一个（）。
在硅砖中，磷石英晶体的真密度最小，线膨胀率小，热稳定性比方石英和石英好，抗渣侵蚀性强，导热性好，荷重软仪温度高，是石英中体积最稳定的形怂。
石英晶体在并联型晶体振荡电路中起（）作用，在串联型晶体振荡电路中起（）作用，石英晶体振荡器的优点是（）。
石英晶体振荡器可以工作在石英晶体的容性区（即在该频率区间石英晶体呈现容性）。
在石英的晶型转变中，在石英的晶型转变中，γ-石英，α-鳞石英，α-方石英间的转变称为（）
单选题我们希望硅砖制品中：（）Aα-石英越多越好Bβ-石英越多越好C鳞石英越少越好D方石英越少越好
填空题在石英的晶型转变中，在石英的晶型转变中，γ-石英，α-鳞石英，α-方石英间的转变称为（）
判断题在硅砖中，磷石英晶体的真密度最小，线膨胀率小，热稳定性比方石英和石英好，抗渣侵蚀性强，导热性好，荷重软仪温度高，是石英中体积最稳定的形怂。A对B错
判断题在硅砖中，方石英晶体的真密度最小，线膨胀率小，热稳定性比磷石英和石英好，抗渣侵蚀性强，导热性好，是石英体积最稳定的形态。A对B错
判断题决定硅砖热稳定性好坏的关键是真密度，真密度的大小是确定其石英转化的重要标志之一。A对B错
填空题含SiO2在（）以上的材料统称硅质耐火材料，硅砖以（）为主要原料生产，其SiO2含量一般不低于（），主要矿物组成为磷石英和方石英。