半导体中有()和空穴两种载流子。A、原子B、离子C、电子D、中子

半导体中有()和空穴两种载流子。

  • A、原子
  • B、离子
  • C、电子
  • D、中子

相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中的载流子是电子和()。A、电子B、空穴C、离子

P型半导体中含有的多数载流子是()A、质子B、电子C、空穴D、中子

在P型半导体中,多数载流子是()。A、电子B、空穴C、离子D、分子

N型杂质半导体中,多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子

半导体中参与导电载流子是()A、阳离子B、阴离子C、电子D、空穴

在半导体中有两种承载电流的粒子,即载流子,分别是(),这是半导体的特殊性质。A、空穴B、质子C、自由电子D、正、负离子

半导体内的载流子是()。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴

N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

半导体中的载流子为()。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴

半导体中的载流子为()。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴

P型半导体的多数载流子是()。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子

半导体中有()和空穴两种载流子。

P型半导体中的多数载流子是指()A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子

半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

半导体中有两种载流子,分别是()。A、原子和中子B、电子和空穴C、电子和质子D、电子和离子

在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子,多子(空穴)的数量=()+少子(自由电子)的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子

P型半导体少数载流子是()A、空穴B、质子C、电子D、中子

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

单选题半导体内的载流子是()。A正离子B负离子C自由电子D自由电子与空穴

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子

多选题在半导体中有两种承载电流的粒子,即载流子,分别是(),这是半导体的特殊性质。A空穴B质子C自由电子D正、负离子

单选题半导体中的载流子是电子和()。A电子B空穴C离子

单选题在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,多子(自由电子)的数量=()+少子(空穴)的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子