氧气的测量是按顺磁原理：即在不均匀磁场中氧分子被吸引向低磁场强度方向运动。

氧气的测量是按顺磁原理：即在不均匀磁场中氧分子被吸引向低磁场强度方向运动。

相关考题：

磁导率是表征物质导磁能力的物理量,磁场中加入顺磁质后,磁场强度()。 A、增加B、不变C、减小D、变化不大
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深度记号器的作用是()。 A、给电缆注磁B、测量电缆上的磁记号C、测量电缆的磁场强度D、测量电缆的张力
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磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来,外磁场被磁屏蔽所分路,使透过屏蔽进入测量机构的()。 A.磁场强度大为减弱B.影响降低C.磁场损耗加大D.磁场强度得到增强
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是由运动电荷产生的。A.磁场B.磁量C.磁场强度D.磁畴
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（）是衡量物质通导磁通的能力，它决定某种物质被磁化时的难易程度.A、磁通量B、磁导率C、磁场强度D、磁通量或磁场强度
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在无限长螺线管中，磁场强度是不均匀的
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磁粉探伤时，对试件施加适当的磁场强度值应该是（）。A、连续法比剩磁法要大B、按试件的磁特性而有所不同C、试件越长，施加的磁场强度越大D、以上都不对
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（）是由运动电荷产生的。A、磁场B、磁量C、磁场强度D、磁畴
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采用磁性测量原理的测量仪器，为了避免磁干扰，非磁钻铤长度由（）决定。A、地层井斜、方位B、地区、井斜、方位C、磁场强度、磁偏角、井斜D、地区、井斜、磁偏角
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仿琼斯强磁机齿板，可提高强磁机的（）。A、磁场强度和梯度B、磁场强度C、磁场梯度
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定量描述磁场中某点磁场性质的物理量是（）。A、磁导率B、磁场强度C、磁感应强度D、磁通
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磁场中与磁介质的性质无关的物理量是（）。A、磁感应强度B、导磁系数C、磁场强度D、磁通
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磁粉探伤时，施加的磁场强度值应是（）A、连续法比剩磁法要小B、在磁场作用范围内，试件越短，施加的磁场强度越小C、按试件的磁特性不同而有所不同D、A和C
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铁磁材料的磁导率是（）A、固定不变的B、随磁场强度H成线形关系C、磁场强度H小时，随磁场强度H增加而增加，磁场强度H大时，随磁场强度H增加而减小D、磁场强度H大时，随磁场强度H增加而增加，磁场强度H小时，随磁场强度H增加而减小
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在测量铁磁材料的磁滞回线实验中，磁滞现象的产生原因是（）A、磁感应强度B的变化滞后于磁场强度H的变化B、磁场强度H的变化滞后于磁感应强度B的变化C、磁感应强度B滞后于磁场强度HD、磁场强度H滞后于磁感应强度B
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磁粉探伤中，工件中缺陷与漏磁场方向垂直时漏磁场强度最大。
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磁化强度越大，则漏磁场越大，但当被检查部件达到磁饱和后，磁场强度再继续增加，漏磁也不再增大。
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磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来，外磁场被磁屏蔽所分路，使透过屏蔽进入测量机构的（）。A、磁场强度大为减弱B、影响降低C、磁场损耗加大D、磁场强度得到增强
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表示磁场中某点磁场的强弱，电磁学中是用什么来表示的？（）A、磁场B、磁通C、磁力线D、磁场强度
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半导体磁敏传感器只能用来测量变化的磁场，不能测量静止的磁场强度。
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工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是（）。A、深度越大，漏磁场强度越高B、深度越小，漏磁场强度越低C、深度越小，漏磁场强度越高D、深度与漏磁场强度无关
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关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。A、磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关B、磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关C、磁场强度和磁通密度与磁导率都有关D、磁场强度和磁通密度与磁导率都无关
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单选题工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是（）。A深度越大，漏磁场强度越高B深度越小，漏磁场强度越低C深度越小，漏磁场强度越高D深度与漏磁场强度无关
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单选题磁铁的磁距是（）间距离之乘积。A同名磁量与两端B同名磁量与两磁极C磁场强度与两端D磁场强度与两磁极
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单选题采用磁性测量原理的测量仪器，为了避免磁干扰，非磁钻铤长度由（）决定。A地层井斜、方位B地区、井斜、方位C磁场强度、磁偏角、井斜D地区、井斜、磁偏角
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单选题磁粉探伤时，施加的磁场强度值应是（）A连续法比剩磁法要小B在磁场作用范围内，试件越短，施加的磁场强度越小C按试件的磁特性不同而有所不同DA和C
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单选题磁场强度与MRI信噪比的关系为（　　）。A磁场强度越高，MRI信号强，信噪比高B磁场强度越高，MRI信号弱，信噪比高C磁场强度越低，MRI信号强，信噪比低D磁场强度越低，MRI信号弱，信噪比高E磁场强度与信噪比无关
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