对直流配电柜通过隔离二极管后的输出电压,若电压低于母线电压超过()时,则为隔离二极管的正向压降过大,器件不合格。A、0.5VB、1VC、1.5VD、2V

对直流配电柜通过隔离二极管后的输出电压,若电压低于母线电压超过()时,则为隔离二极管的正向压降过大,器件不合格。

  • A、0.5V
  • B、1V
  • C、1.5V
  • D、2V

相关考题:

()可以防止因意外情况造成电池阵列电压低于蓄电池直流母线电压时,电流反向回流到太阳能电池阵列。 A.屏蔽二极管B.旁路二极管C.隔离二极管D.分路二极管

变容二极管工作时,应加() A、反向电压B、正向电压C、反向电压或正向电压

加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,()截止 。

某二极管的正向电压为1V时电流为40mA,这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0.8V时的电流变化为20mA,则二极管的交流内阻是多少?

二极管两端加上正向电压时超过()电压才能导通。

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错

极管如果采用正向接法,稳压二极管将()A、稳压效果变差B、稳定电压变为二极管的正向导通压降C、截止D、稳压值不变,但稳定电压极性发生变化

二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

正常工作时,发光二极管与光电二极管应外加()A、均应加正向电压B、均应加反向电压C、前者加正向电压,后者加反向电压D、前者加反向电压,后者加正向电压

TW系列驼峰自动控制系统交流净化电源输出电源电压为()。A、AC220V±0.5VB、AC220V±1VC、AC220V±1.5VD、AC220V±2V

正常情况下KNK的输出信号电压一般为()。A、0.5VB、1VC、1.5VD、3V

发光二极管在正向电压小于某一值()时,电流极小,不发光;当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加,发光。

()可以防止因意外情况造成电池阵列电压低于蓄电池直流母线电压时,电流反向回流到太阳能电池阵列。A、屏蔽二极管B、旁路二极管C、隔离二极管D、分路二极管

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

在常温下,硅二极管的开启电压是()V,导通后在较大电流下时正向压降约()V。

在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

TW系列驼峰自动控制系统开关量采集电压为()。A、DC24V±0.5VB、DC24V±1VC、DC24V±1.5VD、DC24V±2V

二极管两端正向电压大于()时,二极管才导通。A、击穿电压B、开启电压C、夹断电压D、直流电压

在利用变容二极管进行调频时,必须加上一个大于调制信号振幅的反向直流偏压,是为了()。A、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有反向电压B、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有反向电压C、保证变容二极管在调制电压的负半周也具有正向电压D、保证变容二极管在调制电压的正半周也具有正向电压

二极管在正向电压作用下处于()状态。如果不计二极管的正向压降,它相当于开关处于()状态。

填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。