自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对，错)。
自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。() 此题为判断题(对，错)。
空穴和自由电子一样,都是载流子。() 此题为判断题(对，错)。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
半导体中的载流子（）。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴
N沟道结型场效应管中的载流子是（）A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
单选题金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动而形成的。A自由电子B正、负离子C空穴载流子D自由电子和空穴
判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A对B错
单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A空穴／自由电子B自由电子／空穴C空穴／共价键电子D负离子／正离子
填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
填空题P型半导体中空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子
单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等