半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
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II．多项选择题6．光电效应的实验结论是：对于某种金属（ ）（A）无论光强多强，只要光的频率小于极限频率就不能产生光电效应（B）无论光的频率多低，只要光照时间足够长就能产生光电效应（C）超过极限频率的入射光强度越弱，所产生的光电子的最大初动能就越小（D）超过极限频率的入射光频率越高，所产生的光电子的最大初动能就越大
多选题对光电效应的研究结果，下列叙述中正确的是（）A入射光的频率必须大于极限频率时才能产生光电效应B光电子的发射几乎是瞬时的C产生光电效应时，光电流强度与入射光强度成正比D光电子的最大初动能与入射光的频率成正比
单选题入射光照射到某金属表面上发生光电效应，若入射光的强度减弱，频率保持不变，那么（）A从光照至金属表面上到发射出光电子之间的时间间隔将增大B逸出光电子的最大初动能将减小C单位时间内此金属表面逸出的光电子数量减小D有可能不发生光电效应.
多选题2005年是“世界物理年”，100年前的1905年是爱因斯坦的“奇迹”之年，这一年他先后发表了三篇具有划时代意义的论文，其中关于光量子的理论成功地解释了光电效应现象．关于光电效应，下列说法正确的是（）A当入射光的频率低于极限频率时，不能发生光电效应B光电子的最大初动能与入射光的频率成正比C光电子的最大初动能与入射光的强度成正比D某单色光照射一金属时不能发生光电效应，改用波长较短的光照射该金属可能发生光电效应
判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A对B错