双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。()

双极晶体管中只有一种载流子(电子或空穴)传输电流。()


相关考题:

在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

场效应管靠()导电。 A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴

场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中的载流子是电子和()。A、电子B、空穴C、离子

N型半导体的多数载流子是()。A、电子B、电流C、空穴D、电荷

关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

半导体中的载流子()。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴

P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

半导体中的载流子为()。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴

在半导体中,自由电子和空穴都是载流子。

金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

PN结反向漏电流是由()产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子

在P型半导体中空穴是()载流子,电子是()载流子。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

单选题P型半导体的多数载流子是()。A电子B空穴C电荷D电流

判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A对B错

单选题在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。A空穴/自由电子B自由电子/空穴C空穴/共价键电子D负离子/正离子

单选题在非线性元件的伏安特性研究中,N型半导体和P型半导体中,多数载流子分别是()A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴

判断题半导体中存在两种载流子,只有自由电子参与导电,而空穴不参与导电。A对B错

单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A空穴;空穴B空穴;自由电子C自由电子;空穴D自由电子;自由电子