()是由于热激励电子空穴对形成的。 A、暗电流B、分析力C、灵敏度D、其他

()是由于热激励电子空穴对形成的。

A、暗电流

B、分析力

C、灵敏度

D、其他


相关考题:

半导体中的空穴电流是由于价电子递补空穴而产生的。() 此题为判断题(对,错)。

半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的

11、由于电子的有效质量小于空穴的有效质量,因而电子的迁移率比空穴的大。

在热激发条件下,价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。A.自由电子-空穴对B.正离子C.负离子D.空穴

光电检测器是外加反向偏压的PN结,当入射光作用时,发生受激吸收产生 光生电子-空穴对,这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流,同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层,在电场作用下形成扩散电流,这两部分电流之和为光生电流。

14、在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对,在外加偏压作用下 会向 偏移,而在SiO2层中留下 ,因此在 会形成电离陷阱()。A.空穴,正极,电子,负极B.空穴,负极,电子,正极C.电子,正极,空穴,负极D.电子,负极,空穴,正极

由于电子的有效质量小于空穴的有效质量,因而电子的迁移率比空穴的小。

2、在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生()。A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空穴对

16、在热激发条件下,价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。A.自由电子-空穴对B.正离子C.负离子D.空穴