14、在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。A．空穴，正极，电子，负极B．空穴，负极，电子，正极C．电子，正极，空穴，负极D．电子，负极，空穴，正极
14、在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对，在外加偏压作用下 会向 偏移，而在SiO2层中留下 ，因此在 会形成电离陷阱（）。
A．空穴，正极，电子，负极
B．空穴，负极，电子，正极
C．电子，正极，空穴，负极
D．电子，负极，空穴，正极
参考答案和解析
电子，正极，空穴，负极
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(题干)透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述，错误的是A.属于直接转换B.属于间接转换C.成像效果好于IPD.数据转换不经过可见光E.需要局压电场场效应管的作用是A.产生电荷B.存储电荷C.开关D.A/D转换E.放大请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
大量排人大气中的NOx和烃类在强烈的太阳紫外线作用下,会产生A.酸雨B.臭氧层破坏SXB 大量排人大气中的NOx和烃类在强烈的太阳紫外线作用下，会产生A.酸雨B.臭氧层破坏C.温室效应D.光化学分解E.光化学烟雾
在转炉中加入萤石的作用是降低CaO、2CaO·SiO2的熔点，加速（）渣化，改善炉渣的（），但使用萤石不当也会导致喷溅及加速炉衬侵蚀。A、2CaO·SiO2、流动性B、石灰、碱度C、渣料、碱度D、石灰、流动性
在脱硫的同时，铁水中的Si被氧化生成2CaO﹒SiO2和SiO2，相应地消耗了有效CaO，同时在石灰粉颗粒表面容易形成2CaO﹒SiO2的致密层，阻碍了硫向石灰颗粒内部扩散，影响了石灰粉脱硫速度和脱硫效率，描述的主要是（）A、石灰粉B、电石粉C、氧化镁
单选题简述光生伏特效应中正确的是（）A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；Bp、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；C平衡载流子破坏原来的热平衡；D非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
单选题透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。场效应管的作用是（）A产生电荷B存储电荷C开关DA/D转换E放大
单选题透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时，由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对，即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动，负电子跑向偏压的正极，正电子跑向偏压的负极，于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比，这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元，即像素。每个像素区内有一个场效应管，在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下，开关导通，把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大，送到A/D转换器，从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。关于该平板探测器的叙述错误的是（）A属于直接转换B属于间接转换C成像效果好于IPD数据转换不经过可见光E需要高压电场
单选题把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。A改变禁带宽度；B产生复合中心；C产生空穴陷阱；D产生等电子陷阱。