半导体高低频管以3MHZ为界限。() 此题为判断题(对,错)。

半导体高低频管以3MHZ为界限。()

此题为判断题(对,错)。


相关考题:

半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对,错)。

三极管按材料不同可分为硅管和锗管,按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管。()

3、放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是()。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适

2、在放大电路中,低频段放大倍数降低是由于 () 的影响造成的。A.耦合电容和旁路电容B.半导体管极间电容和分布电容C.半导体管非线性特性D.静态工作点设置不合适

1、型号为“3AX81”的国产三极管的为()A.PNP型锗材料低频小功率管B.NPN型锗材料低频小功率管C.PNP型硅材料低频小功率管D.NPN型硅材料低频小功率管

2、放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适

()的工作频率是3 MHz~30 MHz。A.低频电子标签B.高频电子标签C.超高频电子标签D.微波电子标签

放大电路在低频段放大倍数数值下降的原因是()。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适

在放大电路中,低频段放大倍数降低是由于 () 的影响造成的。A.耦合电容和旁路电容B.半导体管极间电容和分布电容C.半导体管非线性特性D.静态工作点设置不合适