斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。() 此题为判断题(对，错)。
斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。()
此题为判断题(对，错)。
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超声探头的组成及其作用，不正确的是A、核心部分是压电材料，具有压电效应B、晶片背面填充吸声材料，有提高轴向分辨力的作用C、晶片前面贴以匹配层，除起保护晶片的作用外，无助于提高探头灵敏度D、电缆部分，仅提供高频电脉冲，无其他功能E、晶片前面的面材，有时还可改善声束聚焦
下列关于压电效应和压电材料的描述，正确的是A．在压电晶片上施加机械压力其表面可产生电荷，这种现象为逆压电效应B．在压电晶片上施加交变电信号可产生晶片的机械振动，这种现象为正压电效应C．压电材料的厚度与超声响应频率无关D．压电材料一般需要磁场极化处理E．与高频率超声探头相比，低频率超声探头采用较薄的压电材料
为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择除了入射角以外还应考虑()A.斜楔材料的纵波声速小于工件中的横波声速B.斜楔材料的纵波声速大于工件中的横波声速C.斜楔材料的纵波声速大于工件中的纵波声速D.以上都可以
探头前保护膜的声阻抗公式，(Z=声阻抗)应是()A.Z保护膜=(Z晶片+Z工件)1/2B.Z保护膜=(Z晶片-Z工件)1/2C.Z保护膜=(Z晶片xZ工件)1/2D.Z保护膜=(Z晶片/Z工件)1/2
【单选题】单晶直探头发射超声波时，是利用压电晶片的（）。A．压电效应B．逆压电效应C．电涡流效应D．无法确定