硅压力传感器失效的形式有______。①参数漂移;②绝缘降低;③膜片劈裂;④电磁干扰;⑤芯体渗漏A.②③④⑤B.①③④⑤C.①②③⑤D.①②③④⑤
下列关于硅压力传感器说法不正确的是______。A.被测介质的压力不直接作用于传感器的膜片上B.被测介质的压力作用使得膜片产生微小位移C.硅压力传感器实际影响的都是传感器阻值的变化D.压力传感器输出的都是标准的电压或电流信号
进气压力传感器的压力元件是用半导体的（）效应制成的硅膜片。A、电阻B、电容C、电感D、都不是
半导体压敏电阻式增压压力传感器由（）、底座、真空管接头和引线组成。A、夹板B、硅膜片C、真空室D、硅杯
共轨压力传感器在高压燃油经压力室的小孔流向膜片，膜片上安装有半导体敏感元件，可将压力转换成（）信号。A、数字B、电C、组合D、无线
半导体压敏电阻式增压压力传感器的硅膜片的两面一面通真空室，一面通（）。A、进气歧管B、排气歧管C、进气总管D、排气总管
半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时，进气流作用在硅膜片上，使硅膜片产生应力，应变电阻的阻值会发生变化，电桥输出（）也随之变化。A、电流B、电压C、电阻D、电容
牙冠舌面的定义是（）。A、前牙的牙冠接近口唇的一面B、前后牙的牙冠接近舌的一面C、牙冠的两邻面中，离中线较近的一面D、牙冠的两邻面中，离中线较远的一面E、上下颌后牙咬合时发生接触的一面
下列关于牙冠各面的论述哪一个是错误的（）A、牙冠接触唇粘膜的一面称为唇面B、牙冠接触颊粘膜的一面称为颊面C、牙冠接近舌的一面称为舌面D、牙冠发生咬合接触的一面称为面E、两个邻面中，接近中线的一面称为近中面，远离中线的一面称为远中面
半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有（）个应变电阻，以（）电桥方式连接。A、1；惠斯顿B、4；惠斯顿C、1；惠特尼
下列哪项不属于压阻式压力表压力传感器的构件（）。A、硅膜片B、引线C、绝缘体D、硅杯
拉深变形时，润滑剂在（）A、毛坯与凹模接触的一面B、工件与毛坯与凸模接触的一面C、工件与毛坯的两面D、不确定
半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片受到的进气歧管侧的绝对压力越高，硅膜片的变形越（），其变形与压力大小成（）。A、大…正比；B、大…反比；C、小…正比；D、小…反比
点火提前角过小（即点火过迟），则混合气一面燃烧，活塞一面（），燃烧过程是在气缸容积不断（）的情况下进行，使炽热的气体与气缸壁接触面积（），气体最高压力（），致使发动机功率（），油耗（）。
牙齿的面可以描述为（）。A、牙冠有咀嚼功能的一面B、牙冠发生接触的一面C、上下颌牙齿在咬合时接触的部位D、上下颌的后牙在咬合时发生接触的面E、牙冠上有牙尖突起的部位
半导体压敏电阻是进气歧管绝对压力传感器输出信号电压应能随（）而不断下降。A、真空度的增大B、真空度的减小C、真空度的变化D、空气压力
单选题半导体压敏电阻式进气压力传感器的压力转换元件是利用半导体的（）制成的硅膜片。A压阻效应B光电效应C压电效应D磁阻效应
填空题半导体压敏电阻式进气压力传感器一面导入进气岐管压力，另一面是（）。
单选题压阻式压力传感器中的硅膜片通常是（）。A单晶硅B多晶硅C非晶硅D硅蓝宝石
单选题拉深变形时，润滑剂涂在（）。A毛坯与凹模接触的一面B工件毛坯与凸模接触的一面C工件毛坯的两面
单选题进气压力传感器的压力元件是用半导体的（）效应制成的硅膜片。A电阻B电容C电感D都不是
单选题牙齿的面可以描述为（）A牙冠有咀嚼功能的一面B牙冠发生接触的一面C上下颌牙齿在咬合时接触的部位D上下颌的后牙在咬合时发生接触的面E牙冠上有牙尖突起的部位
单选题拉深变形时，润滑剂在（）A毛坯与凹模接触的一面B工件与毛坯与凸模接触的一面C工件与毛坯的两面D不确定
单选题硅压力传感器失效的形式有（）。 ①参数漂移； ②绝缘降低； ③膜片劈裂； ④电磁干扰； ⑤芯体渗漏。A②③④⑤B①③④⑤C①②③⑤D①②③④⑤
单选题牙冠唇面的定义是（）。A前牙的牙冠接近口唇的一面B前后牙的牙冠接近舌的一面C牙冠的两邻面中，离中线较近的一面D牙冠的两邻面中，离中线较远的一面E上下颌后牙咬合时发生接触的一面
单选题下列关于牙冠各面的论述哪一个是错误的（）A牙冠接触唇粘膜的一面称为唇面B牙冠接触颊粘膜的一面称为颊面C牙冠接近舌的一面称为舌面D牙冠发生咬合接触的一面称为面E两个邻面中，接近中线的一面称为近中面，远离中线的一面称为远中面