压阻式压力传感器是利用半导体材料的（）和集成电路工艺制成的传感器。
进气压力传感器的压力元件是用半导体的（）效应制成的硅膜片。A、电阻B、电容C、电感D、都不是
半导体压敏电阻式增压压力传感器在（）作用下，膜片会产生应力，应变电阻的阻值会发生变化。A、进气压力B、排气压力C、压气机D、涡轮
半导体压敏电阻式增压压力传感器由（）、底座、真空管接头和引线组成。A、夹板B、硅膜片C、真空室D、硅杯
共轨压力传感器在高压燃油经压力室的小孔流向膜片，膜片上安装有半导体敏感元件，可将压力转换成（）信号。A、数字B、电C、组合D、无线
半导体压敏电阻式增压压力传感器的硅膜片的两面一面通真空室，一面通（）。A、进气歧管B、排气歧管C、进气总管D、排气总管
半导体压敏电阻式增压压力传感器在其薄膜片的圆周上有（）个应变电阻，用惠斯通电桥方式连接。A、1B、2C、3D、4
半导体压敏电阻式增压压力传感器当发动机运转时，进气流作用在硅膜片上，使硅膜片产生应力，应变电阻的阻值会发生变化，电桥输出（）也随之变化。A、电流B、电压C、电阻D、电容
半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器尺寸小、精度高、和响应性、再现性、抗振性较好，但制作成本高。（）
在当今发动机电控系统中，应用较为广泛的进气歧管绝对压力传感器的形式有（）。A、半导体压敏电阻式B、电容式C、膜盒传动的可变电感式D、表面弹性波式
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片表面规定位置有（）个应变电阻，以（）电桥方式连接。A、1；惠斯顿B、4；惠斯顿C、1；惠特尼
压阻式压力传感器是根据半导体材料（单晶硅）的（）原理制成的传感器。A、压电效应B、压阻效应C、电量变化D、电容变化
半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随（）的增大呈线性增大的特性。A、进气歧管绝对压力B、大气压力C、发动机负荷
半导体压敏电阻式进气压力传感器中硅膜片受到的进气歧管侧的绝对压力越高，硅膜片的变形越（），其变形与压力大小成（）。A、大…正比；B、大…反比；C、小…正比；D、小…反比
进气歧管绝对压力传感器的主要形式有（）。A、半导体压电式B、半导体压敏电阻式C、电容式D、表面弹性波式E、可变电感式
半导体压敏电阻是进气歧管绝对压力传感器输出信号电压应能随（）而不断下降。A、真空度的增大B、真空度的减小C、真空度的变化D、空气压力
进气歧管绝对压力传感器种类较多，按其信号产生的原理可分为半导体压敏电阻式、电容式、膜盒传动的（）式和表面弹性波式等。A、可变电阻B、可变电容C、可变电感D、可变位移
半导体压力传感器的硅膜片，一面接触的是真空室压力，一面接触的是（）压力。A、排气管B、进气歧管C、空气D、燃油
单选题半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器输出的信号电压具有随（）的增大呈线性增大的特性。A进气歧管绝对压力B大气压力C发动机负荷
判断题压阻效应式进气歧管绝对压力传感器是利用压敏电阻构成的测量电桥，由进气歧管压力的变化的原理制成的。A对B错
填空题半导体压敏电阻式进气压力传感器一面导入进气岐管压力，另一面是（）。
单选题利用半导体材料在某一方向上承受压力时，它的电阻率发生显著变化的现象制成压敏电阻，用压敏电阻制成的传感器称（）压力传感器。A电阻应变式B压阻式C压电式D电位器式
填空题半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的（）效应制成的。
判断题半导体压敏电阻式进气歧管绝对压力传感器尺寸小、精度高、和响应性、再现性、抗振性较好，但制作成本高。（）A对B错
多选题在当今发动机电控系统中，应用较为广泛的进气歧管绝对压力传感器的形式有（）。A半导体压敏电阻式B电容式C膜盒传动的可变电感式D表面弹性波式
单选题进气压力传感器的压力元件是用半导体的（）效应制成的硅膜片。A电阻B电容C电感D都不是