非均匀形核

非均匀形核


相关考题:

液态金属结晶的基本过程是() A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核

晶核的形成有()方式。A、自发形核(异质形核)B、非自发形核(异质形核)C、自发形核(均质形核)D、非自发形核(均质形核)

非自发形核

液态金属结晶的基本过程是()。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长

在凝固过程中形核的两种方式是()形核和非自发形核。

均匀形核

下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A、越小B、越大C、为90°D、以上都不对

非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

在实际生产条件下,金属凝固时的过冷度都很小(30℃),其主要原因是由于非均匀形核的结果。

非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

名词解释题非均匀形核

多选题关于均匀形核,以下说法正确的是()。A体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二B非均匀形核比均匀形核难度更大C结构起伏是促成均匀形核的必要因素D能量起伏是促成均匀形核的必要因素E过冷度△T越大,则临界半径越大

单选题液态金属结晶的基本过程是()。A边形核边长大B先形核后长大C自发形核非自发形核D晶枝生长

单选题不利于提高非均匀形核时形核率的因素是()A很大的过冷度B凹曲面的固体杂质C很大的过热度D变质处理

问答题为提高金属结晶时的形核率,往往向液态金属中加入一定量的高熔点的固体颗粒形核剂以促进非均匀形核。问当向液态金属中加入的固体颗粒形核剂分别为金属颗粒和陶瓷颗粒时,加入哪种形核剂对提高结晶形核率的效果更好,为什么?

判断题非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。A对B错

名词解释题均匀形核

问答题试比较均匀形核和非均匀形核的异同点。

判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A对B错

多选题以下说法中,()说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A自发形核B非自发形核C平面形核

问答题什么是均匀形核与非均匀形核?实际发生的主要是哪一种?

单选题非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A越小B越大C为90°D以上都不对

多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。