试品电容量约为15000pF,当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时,电桥分流器档位宜设置在()档A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
试品电容量约为15000pF,当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时,电桥分流器档位宜设置在()档
- A、0.01
- B、0.025
- C、0.06
- D、0.15
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试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关
试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,描述正确的是()。A、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越大B、试品电容量越大,对试品tgδ和C测量结果影响越小C、试品电容量大小,对试品tgδ和C测量结果不影响D、以上均不是
试品绝缘表面脏污、受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品tgδ和C测量结果的影响程度是()A、试品电容量越大,影响越大B、试品电容量越小,影响越小C、试品电容量越小,影响越大D、与试品电容量的大小无关
单选题试品绝缘表面脏污,受潮,在试验电压下产生表面泄漏电流,对试品介损和电容量测量结果的影响程度是()A试品电容量越大,影响越大B试品电容量越小,影响越小C试品电容量越小,影响越大D与试品电容量的大小无关
填空题西林电桥测试ta118时采用()时适用于试品整体与地隔离时的测量。