集成电路是在一块薄硅上集成了数以千计的()和别的器件的复杂电路。A、晶体管B、二极管C、电阻D、电容

集成电路是在一块薄硅上集成了数以千计的()和别的器件的复杂电路。

  • A、晶体管
  • B、二极管
  • C、电阻
  • D、电容

相关考题:

在第四代计算机期间内开始采用了______。 A.电子管元器件B.晶体管元器件C.大规模和超大规模的集成电路D.中规模和小规模的集成电路

中央处理器(CPU)是集成在一块电路器件上的集成电路,有()功能及暂存中间数据的功能。 A、程序计数功能B、指令寄存功能C、控制功能D、算术逻辑功能

集成电路元器件的特点。

电子计算机的发展已经历了四代,四代计算机的主要元器件分别是______。A.电子管、晶体管、集成电路、激光器件B.电子管、晶体管、小规模集成电路、大规模和超大规模集成电路C.晶体管、集成电路、激光器件、光介质D.电子管、数码管、集成电路、激光器件

有一块半导体集成电路中的器件数在100-1000之间,则该电路为()集成电路。A、小规模B、中规模C、大规模D、极大规模

硅外延片的应用包括()。A、二极管和三极管B、电力电子器件C、大规模集成电路D、超大规模集成电路

电子计算机已经历了各阶段的发展,不同阶段计算机的主要元器件分别是()A、电子管、晶体管、集成电路、激光器件B、电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路C、晶体管、集成电路、激光器件、光介质D、晶体管、数码管、集成电路、激光器件

大规模集成电路是指在一块芯片上含有()个元器件。A、100~1000B、1000~100000C、105~106D、106~107

集成电路的主要制造流程是()A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。

对于模拟集成电路,在一块芯片上包含了100-1000个元器件的集成电路称()。A、小规模集成电路B、中规模集成电路C、大规模集成电路D、超大规模集成电路

在光驱底部有一块绿色的(),上面带有高速缓存、解码芯片、集成电路等器件A、凡固定光盘片B、印制电路板C、激光头D、光驱面板

在面积约为10mm2硅基片上集成100~1000个元器件的集成电路称为()集成电路。A、小规模B、中规模C、大规模D、超大规模

按一小块基片上集成的元件多少,集成电路可分为()()()和超大规模集成电路。

在第四代计算机期间内开始采用了()。A、电子管元器件B、晶体管元器件C、大规模和超大规模的集成电路D、中规模和小规模的集成电路

单片机是在一片集成电路芯片上集成了以下部分,除了()A、微处理器B、存储器C、I/O接口电路D、串口通信接口

目前,制造计算机所使用的电子器件是()。A、大规模集成电路B、晶体管C、集成电路D、大规模集成电路和超大规模集成电路

小规模集成电路是指每片上集成()个元器件的集成电路。A、<100B、100~1000C、1000~几万D、>10万

下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

集成电路是把二极管、三极管、电阻、电容、电感、电位器等元器件按电路的结构要求制作在一块半导体芯片上,然后封装而成的半导体器件

判断题世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。A对B错

单选题电子计算机已经历了各阶段的发展,不同阶段计算机的主要元器件分别是()A电子管、晶体管、集成电路、激光器件B电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路C晶体管、集成电路、激光器件、光介质D晶体管、数码管、集成电路、激光器件

问答题描述分立器件和集成电路的区别

单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

单选题集成电路的主要制造流程是()A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。