电磁屏蔽一般用低阻的（）材料作屏蔽物而且要有良好的接地。A、浸渍B、半导体C、金属D、硅油
电磁屏蔽一般用低阻的（）材料作屏蔽物而且要有良好的接地。
- A、浸渍
- B、半导体
- C、金属
- D、硅油
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关于电磁危害的防护,错误的是()。 A.高频电磁屏蔽装置可由铜、铝或钢制成B.金属或金属网不能有效地消除电磁场的能量C.电磁危害的防护一般采用电磁屏蔽装置D.屏蔽装置应有良好的接地装置，以提高屏蔽效果
防护β射线,以下说法错误的是()。 A、β射线一般采用双层材料组合屏蔽，第一层用高原子序数的材料屏蔽致辐射，第二层用低原子序数的材料屏蔽β射线B、低原子序数的材料屏蔽射线，可以减少致辐射，常用的材料有烯基塑料、有机玻璃及铝等C、屏蔽致辐射的材料，常用铅板、铁板等D、需要重点关注其次级辐射的屏蔽
要使电缆屏蔽层有良好的屏蔽效果，需对电缆的屏蔽进行接地，下面说法错误的是（）。A、电缆屏蔽层须有一个接地电阻较小的接地极B、电缆屏蔽接地不得与电气接地合用C、保证电缆屏蔽层单点接地D、屏蔽接地应尽量选择足够多的接地点接地
关于采集器与电能表RS485通讯线的连接，描述正确的是（）。A、采用屏蔽双绞导线，屏蔽层单端接地B、采用屏蔽双绞导线，屏蔽层双端接地C、采用一般屏蔽导线，屏蔽层单端接地D、采用一般屏蔽导线，屏蔽层双端接地
在防雷击电磁脉冲时，当建筑物或房间的自然构件构成一个格栅形大空间屏蔽时，穿入这类屏蔽的导电金属物正确的处理方法是（）。A、导电金属物接地；B、导电金属物与其作等电位连接；C、导电金属物作屏蔽；D、导电金属物与其绝缘。
关于电磁危害的防护，错误的是（）。A、高频电磁屏蔽装置可由铜、铝或钢制成B、金属或金属网不能有效地消除电磁场的能量C、电磁危害的防护一般采用电磁屏蔽装置D、屏蔽装置应有良好的接地装置，以提高屏蔽效果
屏蔽接地按功能划分要求有（）。A、磁屏蔽体的接地：其目的是为了防止形成环路产生环流而发生磁干扰。磁屏蔽体的接地主要应考虑接地点的位置以避免产生接地环流。一般要求其接地电阻不大于4ΩB、电磁屏蔽体的接地：其目的是为了减少电磁感应的干扰和静电耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩC、静电屏蔽体的接地：其目的是为了把金属屏蔽体上感应的静电干扰信号直接导入地中，同时减少分布电容的寄生耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩD、其屏蔽体应在电源滤波器处，即在进线口处一点接地
单选题在防雷击电磁脉冲时，当建筑物或房间的自然构件构成一个格栅形大空间屏蔽时，穿入这类屏蔽的导电金属物正确的处理方法是（）。A导电金属物接地；B导电金属物与其作等电位连接；C导电金属物作屏蔽；D导电金属物与其绝缘。
单选题在防雷击电磁脉冲时，为减少电磁干扰的感应效应，改进电磁环境，建筑物应采取屏蔽措施和等电位联结。下列叙述不正确的是（）。A建筑物和房间的外部设屏蔽措施；B以合适的路径敷设线路，线路屏蔽；C屋面及立面金属体.混凝土内钢筋和金属门窗框架等大尺寸金属体应相互作等电位联结；D与第一类防雷建筑物的独立避雷针及其接地装置作等电位联结。
单选题在防雷击电磁脉冲时，为减少电磁干扰的感应效应，改进电磁环境，建筑物应采取屏蔽措施和等电位连接。下列叙述不正确的是（）。A第一类防雷建筑物的独立避雷针及其接地装置作等电位连接；B 以合适的路径敷设线路线路屏蔽；C 建筑物和房间的外部设屏蔽；D 屋面金属体、混凝土内钢筋和金属门窗框架作等电位连接。
单选题在防雷击电磁脉冲时，为减少电磁干扰的感应效应，改进电磁环境，建筑物应采取屏蔽措施和等电位连接。下列叙述不正确的是（）。A建筑物和房间的外部设屏蔽；B以合适的路径敷设线路屏蔽；C第一类防雷建筑物的独立避雷针及其接地装置作等电位连接；D屋面金属体、混凝土内钢筋和金属门窗框架作等电位连接。
单选题为防止电磁干扰，在屏蔽体与干扰源的金属机壳之间所作的永久性良好的电气连接，称（）A工作接地B保护接地C屏蔽接地D避雷接地