填空题晶体中电子的速度与波矢空间中能带的()成正比;有效质量与波矢空间中能带的()成反比。

填空题
晶体中电子的速度与波矢空间中能带的()成正比;有效质量与波矢空间中能带的()成反比。

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

圆曲线正矢与弦长成正比,与曲线半径成反比。()

下列有关电磁波的描述错误的是A、周期与频率成反比B、波速与波长成正比C、波速与频率成正比D、波速与周期成正比E、电磁波的传播速度相当于光速

沿直线运动的物体,其速度与时间成反比,则其加速度与速度的关系是() A、与速度成正比B、与速度平方成正比C、与速度成反比D、与速度平方成反比

占空比(占空因数、占空系数)的定义是A、脉冲持续时间与脉冲间歇时间之比B、脉冲持续时间与脉冲周期之比C、脉冲周期与脉冲间歇时间之比D、脉冲上升时间与脉冲下降时间之比E、脉冲有效波宽与波宽之比

燃烧反应速度与温度成正比,但浓度过高时,可能带来燃烧程度的下降。() 此题为判断题(对,错)。

半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。()

下列关于空芯线圈的哪种说法是正确的?()A、空芯线圈的输出信号是被测电流的微分B、空芯线圈的输出信号是被测电流的积分C、空芯线圈的输出信号与被测电流成正比D、空芯线圈的输出信号与被测电流成反比

正常生产时,空冷塔阻力值与()成正比,与()成反比。

在很低的温度下一个微观粒子的波矢k会变得:()A、很小B、很大C、波矢k的大小与温度没有任何关系D、无法确定

解释何为晶格振动模式?格波的波矢数和模式数如何确定?为什么晶体中有3PN种振动模式(或格波)?

检测条件一定,平底孔的波高与其面积成正比,与距离成反比。

与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

变电所中变压器到避雷器的最大允许电气距离与()。A、侵入波的幅值成反比B、避雷器残压成正比C、变压器的冲击耐压值成反比D、侵入波陡度成反比

球面波的强度与离开波源的距离:()A、成反比B、成正比C、的平方成反比D、的平方成正比

在圆曲线检测中,正矢H与圆曲线半径R的关系是()。A、与R成正比B、与R的平方成正比C、与R成反比D、与R的平方成反比

燃烧反应速度与温度成正比,但浓度过高时,可能带来燃烧程度的下降。

单选题在很低的温度下一个微观粒子的波矢k会变得:()A很小B很大C波矢k的大小与温度没有任何关系D无法确定

填空题电子占据了一个能带中的所有的状态,称该能带为();没有任何电子占据的能带,称为();导带以下的第一满带,或者最上面的一个满带称为();最下面的一个空带称为();两个能带之间,不允许存在的能级宽度,称为()。

填空题()定义为倒格子空间中的维格纳-赛茨原胞;按照衍射的劳埃条件,布里渊区边界包括了所有能发生()的波的波矢。

判断题杂质吸收与激子吸收相同,都导致电子在能带与能带之间跃迁。A对B错

单选题周期性边界条件决定了电子的波矢K在第一布里渊区内可取值数量与晶体的初基元胞数N()A相等B大于C小于D不一定

判断题圆曲线正矢与弦长成正比,与曲线半径成反比。A对B错

单选题变电所中变压器到避雷器的最大允许电气距离与()。A侵入波的幅值成反比B避雷器残压成正比C变压器的冲击耐压值成反比D侵入波陡度成反比

单选题根据能带的能量是波矢的周期函数的特点,能带的表示图式可以有三种。以下不正确的是()A简约区图式B扩展区图式C反复图式D单一图式

判断题周期性边界条件决定了电子的波矢K在第一布里渊区内可取值数量与晶体的初基元胞数N相等。A对B错

单选题根据德布罗意物质波,以下正确的是(  )。A物质波的波长与物体的质量成正比B物质波的波长与物体的动量成正比C物质波的波长与物体的速度成正比D光子的动量和光的波长成反比

问答题金刚石中的长光学纵波频率与同波矢的长光学格横波频率是否相等?对KCl晶体,结论又是什么?