名词解释题表面扩散

名词解释题
表面扩散

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

生球干燥是由( )两个过程组成的。A.表面扩散和内部汽化B.表面汽化和内部扩散C.表面汽化和内部汽化D.表面扩散和内部扩散

吸附的发生过程可分()几个阶段。 A、外扩散B、表面扩散C、内扩散D、孔扩散

多相催化反应中,作用物从催化剂外表面扩散进入孔隙内部的过程叫做()A、外扩散B、内扩散C、表面扩散D、化学吸附

生球干燥是由()两个过程组成的。A、表面扩散和内部气化B、表面气化和内部扩散C、表面气和内部气化D、表面扩散和内部扩散

关于零件表面化学热处理的过程有()。 A、介质分解过程+表面吸收过程B、表面吸收过程+内部扩散过程C、介质分解过程+内部扩散过程D、介质分解过程+表面吸收过程+内部扩散过程

金属燃烧属于()燃烧。A、扩散B、分解C、表面

物料表面的蒸发速度大大超过内部液体扩散到物料表面的速度,使粉粒表面粘结,甚至熔化结壳,阻碍内部水分的扩散和蒸发的现象称为()。A、假干现象B、凝结现象C、辐射干燥D、扩散蒸发

极谱法中的极限扩散电流是()A、电极表面附近被还原(或氧化)离子的浓度趋近于零时所得到的扩散电流B、电极表面附近被还原(或氧化)离子的浓度等于零时所得到的扩散电流C、电极表面附近被还原(或氧化)离子的浓度最大时所得到的扩散电流D、较长时间电解所得到的扩散电流

吸附过程的内扩散分为()。A、深层扩散;B、表面扩散;C、渗透扩散;D、孔扩散。

氨合成反应的控制步骤是()。A、内扩散B、外扩散C、表面反应过程D、氮在催化剂表面的活性吸附

合成反应是一多项催化过程,这个过程按下列()过程进行。A、扩散—吸附—表面反应—解吸—扩散B、扩散—表面反应—吸附—解吸——散C、扩散—吸附—反应—扩散

粘土颗粒遇水后表面带负电,在它周围吸附的正离子形成()和扩散层,称为粘土颗粒表面的扩散双电层。

粘土颗粒遇水后表面带负电,在它周围吸附的正离子形成()和扩散层,称为粘土颗粒表面的扩散双电层。A、沉淀层B、溶解层C、扩散层D、吸附层

表面扩散

在烧结后期,晶界扩散有利于孔隙球化,而表面扩散有利于孔隙消除。

极谱中的极限扩散电流是()A、电极表面附近被还原(或被氧化)离子的浓度趋近于零时所得到的扩散电流;B、电极表面附近被还原(或被氧化)离子的浓度等于零时所得到的扩散电流 ;C、电极表面附近被还原(或被氧化)离子的浓度最大时所得到的扩散电流;D、较长时间电解所得到的扩散电流。

单晶硅电池的制造工艺主要流程为()A、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜B、表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极C、表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极D、表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

表面汽化控制的食品,水分的外扩散速度()水分的内扩散速度。

下列过程中,()能使烧结产物强度增大而不产生致密化过程。()A、蒸发-凝聚B、体积扩散C、粘性(塑性)扩散D、表面扩散

填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

填空题表面汽化控制的食品,水分的外扩散速度()水分的内扩散速度。

单选题关于零件表面化学热处理的过程有()A介质分解过程+表面吸收过程B表面吸收过程+内部扩散过程C介质分解过程+内部扩散过程D介质分解过程+表面吸收过程+内部扩散过程

判断题基区主扩散属于有限表面源扩散。A对B错

单选题晶体的表面扩散系数Ds、界面扩散系数Dg和体积扩散系数Db之间存在()的关系。ADsDgDbBDbC.DgDsDbCDg

问答题简述源材料扩散穿过边界表面时的两种表面吸附

单选题溶液浓度的大小是影响扩散过程的重要因素,再生时离子交换速度受()所控制。A膜扩散B孔道扩散C表面扩散

名词解释题有限表面源扩散