关于半导体测温元件说法正确的是______。A.半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B.P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C.不能制作成接触型D.半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
下列说法正确的是()。 A.短导线的电阻比长导线的电阻小B.粗导线的电阻比细导线的电阻小C.铜导线的电阻比铁导线的电阻小D.同种材料长度相等，粗导线的电阻比细导线的电阻小
下列说法正确的是（ ）。A.短导线的电阻比长导线的电阻小B.粗导线的电阻比细导线的电阻小C.同等条件下，铜导线的电阻比铁导线的电阻小D.同种材料长度相等，粗导线的电阻比细导线的电阻小
半导体的电阻率（）。A、比绝缘体的大B、比导体的小C、介于导体与绝缘体之间
半导体二极管加正向电压时，有（）特性。A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系为（）。A、一样大B、一样小C、前者比后者小D、前者比后者大
半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大，电阻小B、电流大，电阻大C、电流小，电阻小D、电流小，电阻大
半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系为（）。A、一样大B、一样小C、前者比后者小D、前者比后者
金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同？
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
按热电阻材料的不同，热电阻传感器分为（）、半导体热敏电阻。
绝缘材料对电子的阻力很大，这种对电子的阻力称为绝缘材料的绝缘电阻。
绝缘材料的绝缘电阻，与（）及（）成正比，厚度越厚，绝缘电阻（）。
对用夹层绝缘或有机绝缘材料绝缘的设备，如果耐压试验（）的绝缘电阻，比耐压试验（）的绝缘电阻有明显下降，则认为该试品（）。
进行绝缘电阻和吸收比试验，是用绝缘电阻表产生的（）加在被试验设备的绝缘材料上.其与流过被试材料的泄漏电流之比，为绝缘电阻。A、交流电压B、直流电压C、大电阻D、小电阻
填空题P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
单选题半导体二极管加正向电压时，（）A电流大，电阻小B电流大，电阻大C电流小，电阻小D电流小，电阻大
单选题关于半导体测温元件说法正确的是（）。A半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升BP型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C不能制作成接触型D半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。