填空题半导体应变片的电阻变化基于半导体()的变化。

填空题
半导体应变片的电阻变化基于半导体()的变化。

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外力引起电阻率变化的元件是______。A.金属电阻应变片B.半导体电阻应变片C.压电元件D.霍尔元件

电阻应变片是基于导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变导致其电阻值发生变化的原理。() 此题为判断题(对,错)。

()的基本工作原理是基于压阻效应。 A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、光敏电阻

半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。()

()的工作原理是基于压阻效应 A、丝式电阻应变片B、箔式电阻应变片C、半导体应变片D、直角形栅应变片

半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()

半导体应变片的电阻变化基于半导体()的变化。

与电阻应变片相比,半导体应变片有何特点?

半导体应变片主要是利用半导体材料的()A、形变B、电阻率的变化C、弹性模量的变化D、泊松比的变化

金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

金属应变片与半导体应变片在工作原理上都是利用金属形变引起电阻的变化。

金属电阻应变片与半导体材料的电阻应变效应有什么不同?

金属电阻应变片与半导体应变片的区别有哪些?

金属电阻应变片与半导体应变片的主要区别在于:前者利用()引起的电阻变化,后者利用()变化引起的电阻变化。

下列传感器中哪个是基于压阻效应的?()A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、磁敏电阻

()的基本工作原理是基于压阻效应。A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、压电陶瓷

半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比()A、半导体应变片的灵敏度高B、二者相等C、电阻应变片的灵敏试验高D、不能确定

电阻应变片根据材料不同分为金属应变片和半导体应变片。

金属应变片工作原理是利用()效应;半导体应变片工作原理是利用()效应。二者灵敏系数主要区别是:金属应变片的电阻变化主要由()引起的,半导体应变片的电阻变化主要由()引起的。

关于电阻应变片,下列说法中正确的是()A、应变片的轴向应变小于径向应变B、金属电阻应变片以压阻效应为主C、半导体应变片以应变效应为主D、金属应变片的灵敏度主要取决于受力后材料几何尺寸的变化

试述金属电阻应变片与半导体电阻应变片的应变效应有什么不同?

单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A金属应变片主要利用压阻效应B金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

判断题半导体应变片的电阻变化量和材料的应变成线性关系。A对B错

单选题下列传感器中哪个是基于压阻效应的?()A金属应变片B半导体应变片C压敏电阻D磁敏电阻

单选题下列传感器中()是基于压阻效应的。A金属应变片B半导体应变片C压敏电阻

填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

单选题半导体应变片的灵敏度和电阻应变片的灵敏度相比()A半导体应变片的灵敏度高B二者相等C电阻应变片的灵敏试验高D不能确定