单选题下列哪种方式是将试样解热到熔点以下某一温度（一般控制在制品使用温度以下10～20℃，或热变形温度以下10～20℃为宜），以等温或缓慢变温的方式使结晶逐渐完善化的过程。（）A淬火B退火C热处理D结晶
单选题
下列哪种方式是将试样解热到熔点以下某一温度（一般控制在制品使用温度以下10～20℃，或热变形温度以下10～20℃为宜），以等温或缓慢变温的方式使结晶逐渐完善化的过程。（）
A
淬火
B
退火
C
热处理
D
结晶
参考解析
解析：
暂无解析
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极易霉变的环境温度( )。A.温度20℃～35℃、湿度75%以上B.温度20℃～35℃、湿度75%以下C.温度10℃～20℃、湿度70%以上D.温度10℃～20℃、湿度70%以下E.温度10℃～20℃、湿度60%以上
极易霉变的环境温度A．温度25℃～35℃、湿度75％以上B．温度20℃～35℃、湿度75％以下C．温度10℃～20℃、湿度70％以上D．温度10℃～20℃、湿度70％以下E．温度10℃～20℃、湿度60％以上
极易霉变的环境温湿度是A:温度20～35℃湿度75%以上B:温度20～35℃湿度75%以下C:温度10～20℃湿度70%以上D:温度10～20℃湿度70%以下E:温度10～20℃湿度60%以上
极易霉变的环境条件是A.温度20℃～35℃，相对湿度75%以上B.温度20℃～35℃，相对湿度75%以下C.温度10℃～20℃，相对湿度75%以上D.温度10℃～20℃，相对湿度75%以下E.温度20℃～35℃，相对湿度60%以下
极易霉变的环境温湿度是A.温度20～35℃，湿度75%以上B.温度20～35℃，湿度75%以下C.温度10～20℃，湿度70%以上D.温度10～20℃，湿度70%以下E.温度10～20℃，湿度60%以上
极易霉变的环境条件是（）A、温度20℃～35℃，相对湿度75%以上B、温度20℃～35℃，相对湿度75%以下C、温度10℃～20℃，相对湿度75%以上D、温度10℃～20℃，相对湿度75%以下E、温度20℃～35℃，相对湿度60%以下
单选题极易霉变的环境温度（ ）A温度20～35℃，湿度75%以上B温度20～35℃，湿度75%以下C温度10～20℃，湿度70%以上D温度10～20℃，湿度70%以下E温度10~20℃，湿度60%以上
多选题以下关于退火温度的说法正确的是（）A退火处理温度应该在Tg~Tf间或0.8Tm左右B为了促进高分子链段的松驰，应采用较高的温度C退火处理温度应控制在制品使用温度以上10~20℃D退火处理温度应低于塑料的热变形温度10~20℃E退火处理时可以尽量选用较高的温度以提高退火处理的效率
单选题极易霉变的环境条件是（）A温度20℃～35℃，相对湿度75%以上B温度20℃～35℃，相对湿度75%以下C温度10℃～20℃，相对湿度75%以上D温度10℃～20℃，相对湿度75%以下E温度20℃～35℃，相对湿度60%以下
单选题（）是将试样解热到熔点以下某一温度（一般控制在制品使用温度以下10～20℃，或热变形温度以下10～20℃为宜），以等温或缓慢变温的方式使结晶逐渐完善化的过程。A淬火B退火C热处理D结晶