填空题电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。

填空题
电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。

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相关考题:

自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对,错)。

在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流

()有规律的运动,称之为电流。 A、电子B、质子C、空穴D、电荷

半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的

半导体中空穴电流是由()所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子

半导体中空穴电流是由()A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的

在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。()

电力晶闸管GTR内部电流是由()形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴

空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反

半导体导电作用是通过带电的电子和带正电的空穴定向运动形成电流来实现的。

在外电场作用下,半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。

在足够能量的光照条件,晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下,N区的()向P区运动.。A、电子B、空穴C、质子D、原子

在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的空穴向P区运动,P区的()向N区运动。

金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是()A、电子电流B、空穴电流C、电子电流和空穴电流D、离子

在二极管的P型侧接电源的正极,在N型侧接电源的负极,空穴将越过接合面向()移动。A、正极B、负极C、一半向正极,一半向负极D、环形运动

半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴所形成的;B、自由电子填补空穴所形成的;C、空穴填补自由电子所形成的;D、自由电子定向运动所形成的。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

将少量的AgNO3溶液逐渐滴加到0.50dm3、0.02mol·dm-3的KCl溶液中制成AgCl溶胶,在外电场作用下胶粒将()A、静止不动B、向负极移动C、向正极移动D、作自由热运动

单选题简述光生伏特效应中正确的是()A用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;Bp、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;C平衡载流子破坏原来的热平衡;D非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。

单选题空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A相同B相反C有时相同D有时相反

单选题金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A自由电子B正、负离子C空穴载流子D自由电子和空穴

判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A对B错