名词解释题局部屏蔽效应

名词解释题
局部屏蔽效应

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

局部屏蔽效应(名词解释)

使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团

轰动效应和屏蔽效应是输入媒体的信息加工吗?()

导体采用多导体结构时,尚应考虑()对载流量的影响。A.排列形式; B.邻近效应和热屏蔽;C.集肤效应;D.热屏蔽。

什么是接地屏蔽效应?

乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大,主要原因是()。A、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙快质子处在去屏蔽区

屏蔽是减少()的基本措施。为减少感应效应宜采取以下措施:外部屏蔽措施、线路敷设于合适的路径,线路屏蔽。这些措施宜联合使用。

为减少电磁干扰的感应效应,宜采取以下的基本屏蔽措施:()和()的外部设屏蔽措施,以()的路径敷设线路,线路屏蔽。这些措施宜联合使用。

多个接地体之间的电流具有屏蔽效应。

为减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本措施是()。A、建筑物或房间的外部屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本措施是()。A、建筑物或房间的外部屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

NOE效应是指:()A、屏蔽效应B、各向异性效应C、核的Overhauser效应D、电场效应

高层建筑物上信号理想,但切换频繁,通话困难,称为()。A、切换效应B、孤岛效应C、屏蔽效应D、乒乓效应

去屏蔽效应

什么是屏蔽效应和钻穿效应?他们对原子轨道能量有何影响?

为减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本屏蔽措施是()A、建筑物或房间的外部设屏蔽措施B、设备屏蔽C、静电屏蔽D、以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

屏蔽效应

什么是邻近效应?什么是电磁屏蔽?

单选题在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

问答题什么叫屏蔽效应、钻穿效应?

多选题减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本措施是()。A建筑物或房间的外部屏蔽措施B设备屏蔽C静电屏蔽D以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

名词解释题屏蔽效应

名词解释题去屏蔽效应

单选题乙烯质子的化学位移值(δ)比乙炔质子的化学位移值大还是小?其原因是()A大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区B大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区C小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区D小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

多选题为减少电磁干扰的感应效应,应采取的基本屏蔽措施是()A建筑物或房间的外部设屏蔽措施B设备屏蔽C静电屏蔽D以合适的路径敷设线路,线路屏蔽

单选题NOE效应是指:()A屏蔽效应B各向异性效应C核的Overhauser效应D电场效应