单选题在免疫应答过程中，CTL可（）.A提呈外源性抗原B提呈内源性抗原C分泌抗体D产生补体E诱导Ⅰ型超敏反应
单选题
在免疫应答过程中，CTL可（）.
A
提呈外源性抗原
B
提呈内源性抗原
C
分泌抗体
D
产生补体
E
诱导Ⅰ型超敏反应
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解析：
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关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
下列哪一种细胞不参与T细胞介导的免疫应答A.巨噬细胞B.CTL细胞C.THl细胞SX 下列哪一种细胞不参与T细胞介导的免疫应答A.巨噬细胞B.CTL细胞C.THl细胞D.NK细胞E.TH2细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
TD抗原引起免疫应答的特点是（）A、产生免疫应答的细胞是B细胞B、只引起体液免疫应答，不能引起细胞免疫应答C、可直接作用于T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E、可形成记忆细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生
关于细胞凋亡对免疫应答的调节作用下列那一项是错误的（）A、活化的CTL表达FasLB、Caspase的级联反应导致细胞凋亡C、AICD可促进效应细胞的短寿性D、Fas和FasL基因突变可导致自身免疫病E、Fas启动的AICD上调细胞免疫和体液免疫应答
TD-Ag引起的免疫应答的特点是（）。A、产生体液免疫应答的细胞为B1细胞B、只引起体液免疫应答，不引起细胞免疫应答C、可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答D、只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E、可诱导免疫记忆细胞形成
单选题TD-Ag引起的免疫应答的特点是（）。A产生体液免疫应答的细胞为B1细胞B只引起体液免疫应答，不引起细胞免疫应答C可诱导T、B淋巴细胞产生免疫应答D只引起细胞免疫应答，不能引起体液免疫应答E可诱导免疫记忆细胞形成
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A免疫应答过程中可产生Bm、TmB在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C记忆细胞表达CD45RAD记忆细胞表面分子表达有改变E再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
单选题T淋巴细胞在免疫应答过程中可产生的细胞因子是（ ）。ABCDE