单选题管电压在多少kVp以上,钨靶才能产生特征X线?(  )A10B30C50D70E90

单选题
管电压在多少kVp以上,钨靶才能产生特征X线?(  )
A

10

B

30

C

50

D

70

E

90


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

K特征X射线的产生,管电压必须在A.50kVp以上B.60kVp以上C.70kVp以上D.80kVp以上E.90kVp以上

有关特征X线的解释,错误的是A.是高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B.特征X线的质与高速电子的能量有关C.特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D.靶物质原子序数较高特性X线的能量大E.70kVp以下不产生钨的K系特征X线

有关特征X线的解释,错误的是( )。A.特征X线是高速电子与靶物质原子的轨道电子相互作用的结果B.特征X线产生的X线的质与高速电子的能量有关C.特征X线的波长,由跃迁的电子能量差所决定D.靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大E.管电压70kVp以下,不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、特征X线的质取决于高速电子的能量C、特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高特性X线的能量大E、70kVp以下钨不产生K系特征X线入射光子能量恰好等于原子轨道的结合能时,光电效应的发生几率发生下列哪种变化A、突然减少B、突然增大C、变为零D、变为10%E、无变化与X线产生无关的因素是A、高速电子的动能B、靶面物质C、管电压D、阴极加热电流E、有效焦点大小与X线本质不同的是A、无线电波B、微波C、超声波D、红外线E、γ射线

钨靶X线管产生特征X线的最低管电压是A.35kVB.50kVC.70kVD.85kVSX 钨靶X线管产生特征X线的最低管电压是A.35kVB.50kVC.70kVD.85kVE.90kV

对于钨靶X线管,产生特征X线的最低管电压是A、35kVpB、50kVpC、70kVpD、85kVpE、90kVp

对于钨靶X线管,产生特征X线的最低管电压是A.35kVB.50kVC.70kVD.85kVE.90kV

钨靶X线机,产生特征X线的最低管电压是A.35kVB.50kVpC.70kVpD.85kVpE.90kV

钨靶X线机,产生特征X线的最低管电压是A、35kVpB、50kVpC、70kVpD、85kVpE、90kVp

有关特征X线的解释,错误的是A.是高速电子与靶物质原子的内层轨道电子相互作用的结果B.特征放射产生的X线的质与高速电子的能量有关C.其波长,由跃迁的电子能量差所决定D.靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大E.钨靶在70kVp以下不产生K系特征X线

关于X线谱,叙述正确的是 A、管电压升高,连续射线量比例增加B、管电压升高,特征射线比例减少C、是连续射线与标识射线的叠加线谱D、70kVp以上不产生特征X线E、80~150kVp特征X线占50%

关于X线谱的叙述,正确的是A.管电压升高,连续射线量比例增加B.管电压升高,特征射线比例减少C.是连续射线与标识射线的叠加线谱D.70kVp以上不产生特征X线E.80~150kVp特征X线占50%

有关特征x线的解释,错误的是A.是高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B.特征x线的质与高速电子的能量有关C.医用X线主要使用连续辐射,但在物质结构的光谱分析中使用特征辐射D.靶物质原子序数较高特性x线的能量大E.70kVp以下不产生钨的K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是()A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、特征X线的质取决于高速电子的能量C、特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高特性X线的能量大E、70kVp以下钨不产生K系特征X线

高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()A、高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B、X线的质与高速电子的能量有关C、X线的波长由跃迁的电子能量差决定D、靶物质原子序数较高的X线的能量大E、70kVp以下钨靶不产生

对钼靶X线管,叙述正确的是( )A、钼靶产生X线的效率比钨靶高B、软组织摄片时,主要利用钼产生的连续X线C、相同灯丝加热电流和相同管电压下,钼靶管比钨靶管获得管电流小D、钼靶X线管的极间距离比钨靶管的小E、钼靶产生的X线主要对密度高

多选题有关乳腺X线摄影的内容正确的是()Aμ与z的四次方成正比B当管电压在25kv时脂肪与腺体组织之间的对比度是管电压在35kv时的5倍C在40kv下,钼靶能产生K系列特征辐射D而钨靶只产生L系列特征辐射EL系列特征辐射的平均能量为20kev,这种X线的能量较低。

单选题钨靶X线管产生特征X线的最低管电压是(  )。A35kVB50kVC70kVD85kVE90kV

单选题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是()A高速电子与靶物质轨道电子作用的结果B特征X线的质取决于高速电子的能量C特征X线的波长由跃迁的电子能量差决定D靶物质原子序数较高特性X线的能量大E70kVp以下钨不产生K系特征X线

多选题关于特征放射的叙述,正确的是(  )。A特征放射又称标识放射B是高速电子击脱靶物质原子的外层轨道电子产生的C它的X线光子能量与冲击靶物质的高速电子能量有关D只服从于靶物质的原子特性E管电压在70kVp以上钨靶才能产生特征X线

多选题关于特征放射的叙述,正确的是(  )。A特征放射又称标识放射B是高速电子击脱靶物质原子的外层轨道电子产生的C它的X线光子能量与冲击靶物质的高速电子能量有关D只服从于靶物质的原子特性E管电压在70kVp钨靶才能产生特征X线

单选题关于特性X线的解释,错误的是(  )。A是高速电子冲击靶物质内层轨道电子而产生的BL层电子比K层电子的能量少C70keV以下不产生钨的特性X线D150kVp以上,特性X线减少E特性X线能量与靶物质的原子序数有关

单选题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是()A高速电子的动能B靶面物质C管电压D阴极加热电流E有效焦点大小

单选题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线本质不同的是()A无线电波B微波C超声波D红外线Eγ射线

单选题对钼靶X线管,叙述正确的是( )A钼靶产生X线的效率比钨靶高B软组织摄片时,主要利用钼产生的连续X线C相同灯丝加热电流和相同管电压下,钼靶管比钨靶管获得管电流小D钼靶X线管的极间距离比钨靶管的小E钼靶产生的X线主要对密度高

单选题有关特征X线的解释,错误的是(  )。A是高速电子与靶物质原子的内层轨道电子相互作用的结果B特征放射产生的X线的质与高速电子的能量有关C其波长,由跃迁的电子能量差所决定D靶物质原子序数较高时,特征X线的能量就大E钨靶在70kVp以下不产生K系特征X线

单选题高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()A高速电子与靶物质轨道电子作用的结果BX线的质与高速电子的能量有关CX线的波长由跃迁的电子能量差决定D靶物质原子序数较高的X线的能量大E70kVp以下钨靶不产生