问答题什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?

问答题
什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?

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IGCT是()缩写。 A.静电感应晶闸管B.集成门极换流晶闸管C.静电感应晶体管D.绝缘栅双极晶体管

GTO指的是( )。A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、门极可关断晶闸管

什么是有组织排放源和无组织排放源?

绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。A、高B、相同C、低D、不一定高

绝缘栅双极晶体管具有()的优点.A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。

绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管。A、稍高于B、低于C、等于D、远高于

什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)?它有什么特点?

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

无源互调是无源器件在大功率下由于部件存在()而引起的互调效应。

双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。A、共基极B、共源极C、共漏极D、共栅极

常用的电力电子器件有:()。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管

电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为:()、()、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

()的本质是一个场效应管。A、肖特基二极管B、电力晶体管C、可关断晶闸D、绝缘栅双极晶体管

填空题无源互调是无源器件在大功率下由于部件存在()而引起的互调效应。

单选题下列关于Latch up效应说法不正确的是()A衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。BLatch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。CLatch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。DLatch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。

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多选题关于集成电路中的无源器件说法正确的是()A集成电路无法高效的实现高值无源器件。B要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。C由于制造工艺上的偏差,无源器件的比例容差(Ratio Tolerance)也必定很大。D尽管存在制造工艺上的偏差,但是无源器件的比例容差(Ratio Tolerance)可以控制在很小的范围内。

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单选题双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。A共基极B共源极C共漏极D共栅极