前后比即天线后向()的范围内的副瓣电平与前向()最大波束电平之差。
前后比即天线后向()的范围内的副瓣电平与前向()最大波束电平之差。
相关考题:
基站天线垂直面内采用赋形波束设计时,为了使业务区内的辐射电平更均匀,下副瓣第一零点需要填充,不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于()dB即表示天线有零点填充。 A.-10B.-15C.-26D.-50
上副瓣抑制是对于()系统,为了提高频率复用效率,减少对邻区的同频干扰,基站天线波束赋形时应尽可能降低那些瞄准干扰区的副瓣,提高D/U值(有用和无用信号强度之比),上第一副瓣电平应小于-18dB,对于大区制基站天线无这一要求。
关于天线的指标描述,下面说法不正确的是()。A、天线的前后比指标不是天线的主指标,在网规中可以不考虑B、多端口天线,如双极化天线、双频段双极化天线、双频双工双极化天线,收发公用时,端口之间的隔离度应大于40dBC、基站天线垂直面内采用赋形波束设计时,为了使业务区内的辐射电平更均匀,下副瓣第一零点需要填充,不能有明显的零深,对于大区制基站天线无这一要求D、在双极化天线中,通常使用+0°和-90°正交双线极化
基站天线垂直面内采用赋形波束设计时,为了使业务区内的辐射电平更均匀,下副瓣第一零点需要填充,不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于()即表示天线有零点填充。A、-10dB;B、-15dB;C、-26dB;D、-50dB。
单选题供电电压相同时,CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为()ACMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高,低电平比TTL输出的低电平低BCMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高,低电平比TTL输出的低电平高CCMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低,低电平比TTL输出的低电平低DCMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低,低电平比TTL输出的低电平高
单选题基站天线垂直面内采用赋形波束设计时,为了使业务区内的辐射电平更均匀,下副瓣第一零点需要填充,不能有明显的零深。通常零深相对于主波束大于()即表示天线有零点填充。A-10dB;B-15dB;C-26dB;D-50dB。
判断题前后比是衡量天线后向波束抑制能力的重要指标,该指标与天线增益及类型有关,大约在18~45dB之间。A对B错