各段电阻和总电阻的数值与所要求的数值相比，误差在（）以内是允许的。A、.±25%B、±10%C、±20%D、±15%
各段电阻和总电阻的数值与所要求的数值相比，误差在（）以内是允许的。
- A、.±25%
- B、±10%
- C、±20%
- D、±15%
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测量吸收比和测量绝缘电阻的方法大致相同,所不同的是要记录通电时间。通电时间愈长,其读数值愈大。一般是采用()绝缘电阻的比值,即为所测得的吸收比。 A.30s和15sB.40s和15sC.60s和15sD.60s和25s
关于n个并联电阻的特征描述，下列叙述正确的是（ ）。A.等效电阻Req的数值要大于所并联的任一电阻上的电流值B.并联电路端口总电流i的数值要大于所并联的任一电阻上的电流值C.各电阻上所消耗的功率与各自的电阻值成反比D.各电阻中的电流大小与各自的电阻值成反比
关于n个并联电阻的特征描述，下列叙述错误的是（ ）。A.各电阻中的电流大小与各自的电导值成正比B.各电阻上所消耗的功率与各自的电导值成反比C.等效电导Geq的数值要小于所并联的任一电导值D.并联电路端口总电流i的数值要小于所并联的任一电导上的电流值
在某电子设备的生产中，需要使用100(1的低值电阻器，设计要求其最大允许误差应在 ±0.1%以内。测量方法是用一台数字多用表对被测电阻器的电阻进行直接测量。已知该数 字多用表经检定合格，且其技术指标如下：最大允许误差为：± (0. 05% ×读数+3 ×最低位数值）；测量所用档的满量程值为199. 9Ω,最低位数值为0. 01Ω;当环境温度在（20 ±5)1时，温度的影响可忽略。在22℃，实测10次，得到的样本均值及=99.8Ω，s(R)）=0.25Ω。标准不确定度的A类分量为（ ）Ω。A. 0.025 B. 0.079 C. 0.25 D. 0. 79
在某电子设备的生产中，需要使用100(1的低值电阻器，设计要求其最大允许误差应在 ±0.1%以内。测量方法是用一台数字多用表对被测电阻器的电阻进行直接测量。已知该数 字多用表经检定合格，且其技术指标如下：最大允许误差为：± (0. 05% ×读数+3 ×最低位数值）；测量所用档的满量程值为199. 9Ω,最低位数值为0. 01Ω;当环境温度在（20 ±5)1时，温度的影响可忽略。在22℃，实测10次，得到的样本均值及=99.8Ω，s(R)）=0.25Ω。电阻器的电阻值的置信区间 为_Ω,_设计要求。（ ）A. 99.8 ±0. 19；符合 B. 99. 8 ±0.09;符合C. 99. 8 ±1.82；不符合 D. 99. 8 ±0. 16；不符合
在某电子设备的生产中，需要使用100(1的低值电阻器，设计要求其最大允许误差应在 ±0.1%以内。测量方法是用一台数字多用表对被测电阻器的电阻进行直接测量。已知该数 字多用表经检定合格，且其技术指标如下：最大允许误差为：± (0. 05% ×读数+3 ×最低位数值）；测量所用档的满量程值为199. 9Ω,最低位数值为0. 01Ω;当环境温度在（20 ±5)1时，温度的影响可忽略。在22℃，实测10次，得到的样本均值及=99.8Ω，s(R)）=0.25Ω。合成标准不确定度为（ ）Ω。A. 0.91 B. 0. 091 C. 0.079 D. 0.046
在某电子设备的生产中，需要使用100(1的低值电阻器，设计要求其最大允许误差应在 ±0.1%以内。测量方法是用一台数字多用表对被测电阻器的电阻进行直接测量。已知该数 字多用表经检定合格，且其技术指标如下：最大允许误差为：± (0. 05% ×读数+3 ×最低位数值）；测量所用档的满量程值为199. 9Ω,最低位数值为0. 01Ω;当环境温度在（20 ±5)1时，温度的影响可忽略。在22℃，实测10次，得到的样本均值及=99.8Ω，s(R)）=0.25Ω。标准不确定的B类分量为（ ）Ω，假设测量值在其最大允许误差的区间内服从均匀分布。A. 0.045 B. 0.06 C. 0.078 D. 0. 46
单选题各段电阻和总电阻的数值与所要求的数值相比，误差在（）以内是允许的。A.±25%B±10%C±20%D±15%