减小光电二极管的暗电流的方法有()。A、加反偏工作电压B、选择位错密度较高的单晶材料C、加正偏电压D、选择位错密度较低的单晶材料

减小光电二极管的暗电流的方法有()。

  • A、加反偏工作电压
  • B、选择位错密度较高的单晶材料
  • C、加正偏电压
  • D、选择位错密度较低的单晶材料

相关考题:

以下属于光电检测器的的是()A、量子噪声B、暗电流噪声C、雪崩光电二极管的倍增噪声D、热噪声

暗电流是干什么用的?

什么叫暗电流?

视杆细胞感受器电位的始动因素是()A、视黄醛的变构B、视紫红质的分解C、G1蛋白的激活D、cGMP的降解E、暗电流的减小

视杆细胞超极化感受器电位的产生机制是()A、暗电流减小,非门控K+电流继续B、暗电流增大,非门控K+电流停止C、暗电流继续,非门控K+电流减小D、暗电流继续,非门控K+电流增大E、暗电流和非门控K+电流都停止

减小咬入角的方法有减小压下量和()两种方法。

PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而( )。A、减小B、增大C、趋于饱和D、趋于截止

光电管的实测伏安特性曲线不同于理论曲线的原因是实测的光电流实际上是阴极光电子发射形成的()、阳极光电子发射形成的()和光电管的()的代数和。A、暗电流;反向电流;光电流B、光电流;反向电流;暗电流C、光电流;暗电流;反向电流D、反向电流;光电流;暗电流

光电检测器的种类有PN结光电二极管和()三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

光电检测器的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声和()的倍增噪声。A、发光二极管B、雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

光电二极管的主要性能指标不包括()A、响应度B、响应速度C、暗电流D、信噪比

常用的光电检测器有光电二极管(PIN)和雪崩光电二极管(APD)两种。

D光接收机中,PIN光电二极管引入的主要噪声有暗电流噪声和()

光接收器件有()。A、光电二极管B、雪崩光电二极管C、三级管D、MOS管

对于光电管的基本特性,下面说法正确的是()。A、当入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时,二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小,而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。

光接收机中,雪崩光电二极管引入的噪声为()A、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B、量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D、量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声

暗电流

暗电阻与暗电流

减小电容耦合干扰电压的有效方法有三种:减小电流强度、()、减小电容。

填空题D光接收机中,PIN光电二极管引入的主要噪声有暗电流噪声和()

单选题PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而( )。A减小B增大C趋于饱和D趋于截止

单选题光电检测器的噪声包括量子噪声、暗电流噪声、漏电流噪声和()的倍增噪声。A发光二极管B雪崩光电二极管C双基极二极管D混频二极管

单选题视杆细胞感受器电位的始动因素是()A视黄醛的变构B视紫红质的分解CG1蛋白的激活DcGMP的降解E暗电流的减小

单选题视杆细胞超极化感受器电位的产生机制是()A暗电流减小,非门控K+电流继续B暗电流增大,非门控K+电流停止C暗电流继续,非门控K+电流减小D暗电流继续,非门控K+电流增大E暗电流和非门控K+电流都停止

单选题减小光电二极管时间常数的基本方法是:()A减小光电二极管的接受光的区域的面积;B减小光电二极管的P—N结的厚度;C减小后级电路的负载电阻的阻值;D给光电二极管加较大的反向偏置电压。

单选题光接收机中,雪崩光电二极管引入的噪声为()A光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声B量子噪声、雪崩管倍增噪声、光接收机的电路噪声C量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、光接收机的电路噪声D量子噪声、光电检测器的暗电流噪声、雪崩管倍增噪声

单选题不属于PIN光电二极管特性参数的是()A暗电流B消光比C响应度D响应时间