Hansch方程中的Taft立体参数的意义为A.表示分子的近似立体参数B.表示基团体积的大小C.表示取代基的立体因素对分子内或分子间的反应性影响D.表示整个分子的电性效应E.表示整个分子的疏水性参数
Hansch方程中的Taft立体参数的意义为
A.表示分子的近似立体参数
B.表示基团体积的大小
C.表示取代基的立体因素对分子内或分子间的反应性影响
D.表示整个分子的电性效应
E.表示整个分子的疏水性参数
B.表示基团体积的大小
C.表示取代基的立体因素对分子内或分子间的反应性影响
D.表示整个分子的电性效应
E.表示整个分子的疏水性参数
参考解析
解析：Hansch方程中的Taft立体参数表示取代基的立体因素对分子内或分子间的反应性影响。
相关考题：
有关Hansch构效关系学说不正确的是A、特定的生物效应（以I/C表示）与药物的电性相关B、I/C与药物的立体效应相关C、I/C与药物的疏水效应相关D、电性影响、立体效应影响及疏水效应影响彼此不是独立的E、Hansch构效关系学说是进行药物定量构效关系研究及药物结构设计的一个重要理论
对一般的多元线性回归方程，其标准差表达为式中的k为（ ）。Ⅰ.方程中的参数个数Ⅱ.自变量数加上一个常数项Ⅲ.一元线性回归方程中k=2Ⅳ.二元线性回归方程中k=2 A、Ⅰ.Ⅱ.ⅢB、Ⅰ.Ⅱ.ⅣC、Ⅰ.Ⅲ.ⅣD、Ⅱ.Ⅲ.Ⅳ
在回归分析中，就两个相关变量x与y而言，变量y倚变量x的回归和变量x倚变量y的回归所得的两个回归方程是不同的，这种不同表现在（）。A、方程中参数估计的方法不同B、方程中参数的数值不同C、参数表示的实际意义不同D、估计标准误的计算方法不同E、估计标准误的数值不同
有关Hansch方程log（I/C）=alogP+b（logP）2+cEs+ρσ+d，下列说法不正确的是（）。A、P：脂相与水相间的分配系数B、Es：分子立体结构参数C、σ：电性效应D、a、b、c、ρ为常数E、d为组织密度
Hansch方程中的Taft立体参数的意义为（）A、表示分子的近似立体参数B、表示基团体积的大小C、表示取代基的立体因素对分子内或分子间的反应性影响D、表示整个分子的电性效应E、表示整个分子的疏水性参数
有关立方型状态方程，不正确的是（）。A、立方型状态方程都可展开为V的三次方多项式方程B、RK方程、Soave方程、PR方程都是重要的立方型状态方程C、在立方型状态方程的实际计算中，需要物质的临界参数D、每一种物质都需要自己的立方型状态方程参数，以便实际使用
单选题有关Hansch方程log（1/C）=alogP+b（logP）2+ cEs+ρσ+d，下列说法正确的是（ ）。Aa、b、c、ρ、d为常数BP：脂相与水相间的分配系数Cσ：电性效应DEs：分子立体结构参数E以上都对
填空题标准的Hansch方程是（）。