名词解释题单晶

名词解释题
单晶

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测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的A、氟化钠单晶片B、氟化镧单晶片C、氟化硼单晶片D、氟化锗单晶片E、氟化钾晶体片
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硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应而构成,采用单晶硅片为弹性元件。此题为判断题(对，错)。
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采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。A、不等值B、等值C、线性值D、非线性值
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测试校准原则：多晶对多晶，单晶对单晶
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单晶体的基本性质是什么？
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简述常用单晶生长方法
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聚乙烯的单晶片的形状通常是菱形或截顶菱形的，而聚甲醛单晶片的形状通常是（）的。
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在高分子的单晶形态中，分子链的取向与片状单晶的表面相（）。
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某探头晶片材料标识为Q，它的材料是（）A、锆钛酸铅陶瓷B、碘酸锂单晶C、石英单晶D、铌酸锂单晶
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单晶体
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直径〉15.24cm的单晶硅片
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某探头晶片材料标识为J，它的材料是（）A、锆钛酸铅陶瓷B、碘酸锂单晶C、钛酸铅陶瓷D、铌酸锂单晶
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问答题单晶体和多晶体有何差别？为什么单晶体具有各向异性，多晶体具有各项同性？
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判断题单晶体具有各向异性，金属多晶体是由许多单晶体构成的，因此具有各项异性。A对B错
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判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A对B错
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单选题硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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问答题什么是单晶、多晶？
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单选题某探头晶片材料标识为J，它的材料是（）A锆钛酸铅陶瓷B碘酸锂单晶C钛酸铅陶瓷D铌酸锂单晶
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填空题硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。
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判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A对B错
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名词解释题单晶
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单选题测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的（）A氟化钠单晶片B氟化镧单晶片C氟化硼单晶片D氟化锗单晶片E氟化钾晶体片
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填空题单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
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问答题说明多晶、单晶及厚单晶衍射花样的特征及形成原理。
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单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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单选题某探头晶片材料标识为Q，它的材料是（）A锆钛酸铅陶瓷B碘酸锂单晶C石英单晶D铌酸锂单晶
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问答题单晶的主要特性及应用领域单晶的生长方法的分类是怎样的？
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