()介质材料具有以下特点:非晶体无机材料具有良好光透比常温下固态,坚硬易碎加热后逐淅软化,有利于铸型加工熔点约为1500℃左右。 A、玻璃介质B、热固性树脂介质材料C、热塑性树脂介质材料D、天然水晶
晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料，也是()的主流材料。A.燃料电池B.锂电池C.太阳能电池D.镍电池
宋代用材的材等折变率为（）；清代斗口的等级折变率为（）（数值）。
晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。A、燃料电池B、锂电池C、太阳能电池
内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。（）
影响干涉与消光的因素有（）A、晶体的光学性质B、入射光的波长C、光率体主轴与偏光振动方向的夹角D、晶体的轴性
影响晶体干涉的颜色的因素有（）A、晶体的双折射率B、晶体薄片的厚度C、晶体光率体主轴D、入射光的波长
晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。A、燃料电池B、锂电池C、太阳能电池D、镍电池
单斜晶体光性方位是晶体的b轴与光率体的3个主轴之一（），光率体的其余两个主轴与晶轴（）。
斜方晶系晶体的光性方位是：晶体的3个结晶轴与光率体的主轴都（）。
三斜晶系晶体的光性方位是：晶体的3个结晶轴与光率体的3个主轴都（）。
单选题晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，也是（）的主流材料。A燃料电池B锂电池C太阳能电池D镍电池
多选题下列属于晶体消光类型的是（）A平行消光B对称消光C正消光D斜消光
多选题影响晶体干涉的颜色的因素有（）A晶体的双折射率B晶体薄片的厚度C晶体光率体主轴D入射光的波长
多选题影响干涉与消光的因素有（）A晶体的光学性质B入射光的波长C光率体主轴与偏光振动方向的夹角D晶体的轴性
填空题宋代用材的材等折变率为（）；清代斗口的等级折变率为（）（数值）。
判断题内光电效应是半导体材料在光的照射发生电阻减小的光导放电效应，最早由英国科学家史密斯在1873年研究半导体材料硅晶体时发现。A对B错
单选题下面不是非线性光学现象的是（）A光混频与光参量振荡B晶体的光折变效应C晶体的光电效应
判断题光折变效应的大小只与入射光的能量有关，而与光强无关。A对B错
单选题（）可以用于畸变像复原。A激光变频晶体B电光晶体的应用C光折变晶体的应用