3AX31三极管属于()型三极管。 A、PNP型锗材料B、NPN型锗材料C、PNP型硅材料D、NPN型硅材料
3DG6三极管的制作材料、类型是()。 A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
NPN型和PNP型晶体管的区别是()。 A、由两种不同的材料硅和锗制成B、掺入的杂质不同C、P区和N区的位置不同D、电流放大倍数不同
TTL电路是晶体管£晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
3AX81三极管的制作材料、类型分别是（）A、锗、PNP型B、硅、PNP型C、硅、NPN型D、锗、NPN型
目前我国生产的NPN结构形式的晶体管多为（）管。A、硅B、锗C、稳压D、整流
3BX31是（）三极管。A、硅材料PNP型B、硅材料NPN型C、锗材料PNP型D、锗材料NPN型
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
NPN型和PNP型晶体管的区别是（）A、由两种不同材料硅和锗制成的B、渗入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
判断题沥青砂浆是由沥青、水泥及填充材料制成。A对B错
判断题硅管是指NPN型，锗管是指PNP型。A对B错
判断题接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。A对B错
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错