单选题下列四条叙述中，属RAM特点的是（）A可随机读写数据，且断电后数据不会丢失B可随机读写数据，断电后数据将全部丢失C只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失D只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
单选题
下列四条叙述中，属RAM特点的是（）
A
可随机读写数据，且断电后数据不会丢失
B
可随机读写数据，断电后数据将全部丢失
C
只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失
D
只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
参考解析
解析：
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下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
下列四条叙述中,属于RAM特点的是______。 A.可随机读写数据，且断电后数据不会丢失B.可随机读写数据，断电后数据将全部丢失C.只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失D.只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
下面关于随机存取存储器(RAM．的叙述中，正确的是A．RAM分静态RAM(SRAM．和动态RAM(DRAM．两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C．DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
下面与PC机主板上CMOS RAM有关的叙述中，正确的是A．正常情况下，存储在CMOS RAM中的信息在关机后会丢失B．BIOS包含的CMOS SETUP程序存放在CMOS RAM中C．CMOS RAM中保存了与系统配置密切相关的重要数据D．当前CMOS RAM中使用的RAM字节数仍维持早期的64个字节
下列叙述中，属于RAM特点的是()。A、可随机读写数据，且断电后数据不会丢失B、可随机读写数据，且断电后数据全部丢失C、只能顺序读写数据，且断电后数据不会丢失D、只能顺序读写数据，且断电后数据全部丢失
下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是()。Ⅰ.RAM是易失性存储器.ROM是非易失性存储器Ⅱ.RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行信息访问Ⅲ.RAM和ROM都可用作CacheⅣ.RAM和ROM都需要进行刷新A.仅Ⅰ和ⅡB.仅Ⅱ和ⅢC.仅Ⅰ，Ⅱ，ⅢD.仅Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ
下列四条叙述中，正确的一条是( )。A.外存储器中的信息可以直接被CPU处理B.PC机在使用过程中突然断电，RAM中存储的信息不会丢失C.假若CPU向外输出20位地址，则它能直接访问的存储空间可达1MBD.PC机在使用过程中突然断电，SRAM中存储的信息不会丢失
下列四条叙述中，正确的是（）A、内存中的信息可以直接被CPU访问B、PC机在使用过程中突然断电，RAM中的信息不会丢失C、PC机在使用过程中突然断电，ROM中的信息会丢失D、外存储器中的信息可以直接被CPU处理
下列说法正确的是（）。A、半导体RAM信息可读写，且断电后仍能保持记忆。B、半导体存储器属挥发性存储器，而静态RAM是非挥发性的。C、静态RAM、动态RAM都属挥发性存储器，断电后信息将丢失。D、ROM不用刷新，断电后信息将丢失。
下列四条叙述中，属ROM特点的是（）A、可随机读取数据，且断电后数据不会丢失B、可随机读写数据，断电后数据将全部丢失C、只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失D、只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
静态RAM的特点是（）。A、在不断电的条件下，静态RAM不必定期刷新就能永久保存信息B、在不断电的条件下，静态RAM必须定期刷新才不致丢失信息C、在静态RAM中的信息只能读不能写D、在静态RAM中的信息断电后也不会丢失
下列四条叙述中，属RAM特点的是（）A、可随机读写数据，且断电后数据不会丢失B、可随机读写数据，断电后数据将全部丢失C、只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失D、只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
单选题下列四条叙述中，属ROM特点的是（）A可随机读取数据，且断电后数据不会丢失B可随机读写数据，断电后数据将全部丢失C只能顺序读写数据，断电后数据将部分丢失D只能顺序读写数据，且断电后数据将全部丢失
单选题下列四条叙述中，正确的是（）A内存中的信息可以直接被CPU访问BPC机在使用过程中突然断电，RAM中的信息不会丢失CPC机在使用过程中突然断电，ROM中的信息会丢失D外存储器中的信息可以直接被CPU处理
单选题下面关于随机存储器（RAM）的叙述中，正确的是（ ）。ARAM分静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两大类BSRAM的集成度比DRAM高CDRAM的存取速度比SRAM快DDRAM中存储的数据无须“刷新”
单选题下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是（ ）。Ⅰ．RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器Ⅱ．RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问Ⅲ．RAM和ROM都可用作CacheⅣ．RAM和ROM都需要进行刷新AⅠ、ⅡBⅡ、ⅢCⅠ、Ⅱ、ⅣDⅡ、Ⅲ、Ⅳ