单选题当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A上升B下降C不变D不确定

单选题
当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.
A

上升

B

下降

C

不变

D

不确定

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

助溶剂法晶体生长的特点
查看答案
釉基质蛋白在釉质发育中的作用以下哪项正确？（）A、启动釉质矿化B、作为晶体生长的支持相C、调节晶体生长D、以上都对E、以上都不对
查看答案
水热法的不足之处在于（）。A、装置费用高B、操作时无法观察晶体生长情况C、晶体生长速度太慢D、A、B、C都是
查看答案
铸铁的组织中，柱状区形成的外因是（）。A、晶体生长的各向异性B、晶体生长的各向同性C、传热的方向性D、晶体长大的速度
查看答案
在晶体生长过程中维持其过饱和度的途径有哪些？
查看答案
除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用（）A、启动釉质矿化B、作为晶体生长的支持相C、调节晶体生长D、形成釉柱
查看答案
试述杂质对晶体生长速率的影响途径。
查看答案
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
查看答案
根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
查看答案
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
查看答案
晶体生长
查看答案
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A、①②④B、②④⑤C、①②④⑤D、①②③④⑤
查看答案
填空题晶体生长过程中晶面发育的理论包括（）、（）、（）。
查看答案
单选题影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；A①②④B②④⑤C①②④⑤D①②③④⑤
查看答案
填空题根据晶体生长扩散学说，晶体的生长包括（）、（）和（）三个过程。
查看答案
问答题什么是晶体生长理论？
查看答案
名词解释题晶体生长
查看答案
单选题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）A头尾料和锅底料中含有的氧B晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入
查看答案
单选题在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对
查看答案
填空题晶体生长技术包括有融体生长法和（）；其中融体生长法主要有（）、坩埚下降法、（）和焰融法。
查看答案
问答题试述杂质对晶体生长速率的影响途径。
查看答案
问答题影响晶体生长的外部因素有哪些？
查看答案
问答题影响晶体生长形态的外因？
查看答案
单选题釉基质蛋白在釉质发育中的作用以下哪项正确？（）A启动釉质矿化B作为晶体生长的支持相C调节晶体生长D以上都对E以上都不对
查看答案
单选题除哪一项外都是釉基质蛋白在釉质发育中的作用（）A启动釉质矿化B作为晶体生长的支持相C调节晶体生长D形成釉柱
查看答案
单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A晶体生长速度大大超过晶核生成速度B晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C晶体生长速度等于晶核生成速度D以上都不对
查看答案
单选题关于晶体下列说法错误的是（）A调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大B调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减D增大坩埚内径与晶体直径的比值
查看答案
热门标签