脑梗死病人CT图像的特征性表现是A、起病后即可见脑梗死区低密度灶B、起病后即可见脑梗死区高密度灶C、起病12h后可见脑梗死区低密度灶D、起病12h后可见脑梗死区高密度灶E、起病24h后可见脑梗死区低密度灶
非穿壁性心肌梗死在二维超声上室壁运动特点是A、梗死区矛盾性运动B、梗死区运动消失或减弱C、梗死区运动增强D、梗死区收缩期增厚E、左心室心肌普遍性运动减弱
二极管伏安特性曲线上有一个死区电压，什么是死区电压?
何为心肌梗死后左心室重构?( )A.梗死区域膨胀，而非梗死区域无变化;B.梗死区域膨胀，心肌肥厚，左心室扩张;C.梗死区域膨胀，心肌萎缩，整体左心室容积缩小;D.梗死区域无变化，心肌萎缩，左室射血分数降低;E.梗死区域无变化，非梗死区域心肌肥厚，整体左心室容积增大。
功率方向继电器按900接线，方向过流保护能正确工作在（）。A、两相短路时无死区，三相短路时有死区，但死区很短B、无死区C、三相短路时无死区，两相短路时有死区，死区很短
调速器的配压阀的遮程与死区的关系是（）。A、遮程增加，死区增加B、遮程增加，死区减少C、遮程增加或减小，不影响死区
220kV母线保护中母联死区保护功能检验（）A、模拟母联1和I段母合位死区和分位死区，保护可靠动作B、模拟母联2和分段的合位死区和分位死区，保护可靠动作C、A+BD、A或B
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
调速器的测速元件静特性死区也影响到整机静特性死区。
什么叫保护装置的“死区”？电流速断保护为什么会出现“死区”？如何弥补？
关于回差，滞环和死区，以下说明正确的是（）。A、回差包括滞环和死区B、滞环包括死区和回差C、死区包括滞环和回差D、三者无直接关系
调速器配压阀的遮程与死区的关系是（）A、遮程增加，死区增加；B、遮程增加，死区减少；C、遮程增加或减少，死区不变。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
为了克服方向阻抗继电器存在（）的缺陷，可采用偏移特性阻抗继电器，还可在方向阻抗继电器中采用插入电压的回路。A、电流死区B、电抗死区C、电压死区D、相位死区
大电流接地系统中的零序功率方向保护（）。A、有电压死区B、无电压死区C、靠近母线单相接地短路时有电压死区
对于仪表性能指标中死区的概念，根据死区的定义可知，死区所指的数值是（）A、测量值B、精度误差值C、输入量D、输出量
单选题调速器配压阀的遮程与死区的关系是（）A遮程增加，死区增加；B遮程增加，死区减少；C遮程增加或减少，死区不变。
填空题ZPW-2000主轨道无分路死区，调谐区分路死区不大于（）米。
单选题以下关于死区的说法错误的是（ ）。A死区相当于不工作区或不显示区B死区可用滞后误差或回程误差来进行定量确定C死区过小，反而使示值指示不稳定D增加阻尼机构是为了减小死区
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？