单选题下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。A布里曼法B热交换法C电磁铸锭法D浇铸法

单选题
下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。
A

布里曼法

B

热交换法

C

电磁铸锭法

D

浇铸法

参考解析

解析： 暂无解析

相关考题：

某技师使用天津产BGL-50G型高频铸造机铸造钴铬支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在"V"形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机盖，合金飞溅可能的原因是A、合金熔点太低B、合金里有杂质C、坩埚混用D、合金熔点太高E、坩埚有裂缝
查看答案
某技师使用天津产BGL-50G型高频铸造机铸造钴铬支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在"V"形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机盖，技师在工作过程中；哪项违反了操作规程A、合金放置不当B、"V"形托架太高C、坩埚有裂缝D、配重没有平衡E、机器没有停稳就打开盖
查看答案
目前,制备低温多晶硅常用的方法是什么?
查看答案
在进行支架铸造时，合金刚熔解就飞溅，可能的原因是A．合金熔解过度B．用低熔合金的坩埚熔解高熔合金C．合金熔解方式不对D．用高熔合金的坩埚熔解低熔合金E．合金中有杂质
查看答案
某技工在铸造钴铬支架时，合金刚熔解就飞溅，可能是A、合金熔解过度B、中熔合金的坩埚熔解高熔合金C、合金中有杂质D、合金熔解方式不正确E、高熔合金的坩埚熔解中熔合金
查看答案
下列属于多晶硅制备的方法有（）A、硅烷法B、流化床法C、改良西门子法D、浮游带熔融法
查看答案
熔炼制备K12镍基耐热合金时，所使用的坩埚是（）。A、酸性坩埚B、碱性坩埚C、中性坩埚
查看答案
以P2O5为例，多晶硅中杂质扩散的方式及分布情况。
查看答案
下列不属于作业基础管理中作业改进方法的是（）。A、消除不必要作业，以降低成本B、在其他条件相同时选择成本最低的作业C、提高作业效率并减少作业消耗D、分析确认重要性作业
查看答案
水淋式电极在降低电极温度的同时，又能减少电极侧壁的氧化，从而降低了电极消耗。
查看答案
回收煤气中杂质的目的是再利用和减少污染。（）
查看答案
下列制备多晶硅太阳能电池的提纯工艺中，目前成本最低的是（）。A、改良西门子法B、硅烷热分解法C、流化床法D、冶金法
查看答案
铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A、钝化晶界B、钝化错位C、钝化电活性杂质
查看答案
目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法（改良西门子法）和（）两种方法。
查看答案
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
查看答案
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）A、氧及其相关缺陷B、参杂浓度C、以间隙铁为主的过渡族金属杂质D、材料中的缺陷密度及其分布
查看答案
单选题下列不属于作业基础管理中作业改进方法的是（）。A消除不必要作业，以降低成本B在其他条件相同时选择成本最低的作业C提高作业效率并减少作业消耗D分析确认重要性作业
查看答案
问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。
查看答案
单选题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括（）A头尾料和锅底料中含有的氧B晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C石墨加热器与坩埚反应引入的氧D外界空气的进入
查看答案
问答题按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？
查看答案
单选题某技工在铸造钴铬支架时，合金刚熔解就飞溅，可能是（　　）。A合金熔解过度B中熔合金的坩埚熔解高熔合金C合金中有杂质D合金熔解方式不正确E高熔合金的坩埚熔解中熔合金
查看答案
单选题制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）A氧及其相关缺陷B参杂浓度C以间隙铁为主的过渡族金属杂质D材料中的缺陷密度及其分布
查看答案
多选题铸造多晶硅中氢的主要作用包括（）A钝化晶界B钝化错位C钝化电活性杂质
查看答案
问答题目前，制备低温多晶硅常用的方法是什么？
查看答案
单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
查看答案
多选题下列属于多晶硅制备的方法有（）A硅烷法B流化床法C改良西门子法D浮游带熔融法
查看答案
单选题某技师使用天津产BGL-50G型高频铸造机铸造钴铬支架，在坩埚内放适量合金，将焙烧好的铸圈放在“V”形托架上，对准铸道口，调整配重，熔解时合金飞溅，铸造时铸道口上移，刚按停止键就打开机盖，合金飞溅可能的原因是（　　）。A合金熔点太低B合金里有杂质C坩埚混用D合金熔点太高E坩埚有裂缝
查看答案
热门标签