单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大

单选题
下面有关化学位移描述正确的是（）。
A

质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小

B

质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大

C

质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小

D

质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大

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下面不是脂肪抑制成像技术的是A、化学位移频率选择饱和技术B、化学位移水-脂反相位饱和成像技术C、幅度选择饱和法D、化学位移成像技术E、水激励技术
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下列有关化学反应的描述中正确的是（ ）
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什么是化学位移？影响化学位移的因素。
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有关化学位移伪影的叙述，下列正确的是（）A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动有关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影以观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
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下面不是脂肪抑制成像技术的是（）A、化学位移频率选择饱和技术B、化学位移水一脂反相位饱和成像技术C、幅度选择饱和法D、化学位移成像技术E、水激励技术
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有关化学位移伪影的叙述，下列哪项是错误的（）A、化学位移伪影是一种装备伪影B、化学位移伪影与呼吸运动无关C、化学位移伪影与主磁场强度有关D、化学位移伪影与观察视野有关E、化学位移伪影可以通过改变相位编码来消除
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下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
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单选题关于化学位移，错误的是（　　）。A化学位移可以引起局部磁场的改变B化学位移是磁共振波谱的基础C化学位移饱和成像可用来突出或抑制某种组织的信号D化学位移特性可消除化学位移伪影E利用不同分子之间的化学位移，可以生成不同类型的图像
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单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
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单选题关于化学位移成像的叙述，错误的是（　　）。A化学位移与磁场强度无关BMRS的成像基础是化学位移C可利用化学位移来实现抑制脂肪成像D可利用化学位移来实现抑制水成像E化学位移会导致化学位移伪影
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多选题有关化学位移伪影的叙述，下列正确的是（）A化学位移伪影是一种装备伪影B化学位移伪影与呼吸运动有关C化学位移伪影与主磁场强度有关D化学位移伪影以观察视野有关E化学位移伪影可以通过改变相位编码的方向加以识别
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单选题下面不是脂肪抑制成像技术的是（）A化学位移频率选择饱和技术B化学位移水一脂反相位饱和成像技术C幅度选择饱和法D化学位移成像技术E水激励技术
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