名词解释题P型质子泵

名词解释题
P型质子泵

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

有卸荷功能的中位机能是( )。A.H型,K型,M型B.O型,P型,Y型C.M型,O型,P型D.P型,X型,C型

窝沟解剖形态分类是 A、P型和C型B、C型和K型C、V型和P型D、V型和I型E、I型和U型

A.图(1)是P型,图(2)是N型B.图(1)是N型,图(2)是N型C.图(1)是P型,图(2)是P型D.图(1)是N型,图(2)是P型

怎样区分N型半导体和P型半导体()A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不

有卸荷功能的中位机能是()。A、H型,K型,M型B、O型,P型,Y型C、M型,O型,P型D、P型,X型,C型

PPIs作用对pH的依赖性可以解释PPIs抑制胃酸分泌的作用具有自限性,即()A、PPIs→抑制质子泵→胃内pH升高→PPIs活化速率降低→抑制质子泵作用减弱B、PPIs→抑制质子泵→胃内pH升高→PPIs活化速率降低→抑制质子泵作用增加C、PPIs→抑制质子泵→胃内pH降低→PPIs活化速率降低→抑制质子泵作用减弱D、PPIs→抑制质子泵→胃内pH升高→PPIs活化速率增加→抑制质子泵作用减弱

P、V型质子泵在结构上与钙泵相似,在转运质子的过程中,涉及磷酸化和去磷酸化。

因为P型半导体中空穴多于电子,因此P型半导体呈正电性。

铸型浇注时作用于上型的抬型力等于()。A、0.8~1.2(P1+P2)B、1.2~1.5(P1+P2)C、1.6~2.0(P1+P2)D、2.0~2.5(P1+P2)

P型质子泵。

F型质子泵

比较P-型离子泵、V-型质子泵、F-型质子泵和ABC超家族的异同。

ATP驱动泵可分为()A、P-型离子泵B、V-型质子泵C、F-型质子泵D、ABC超家族

质子泵的类型不包括以下哪一种?()A、P型B、A型C、V型D、F型

存在于真核细胞的细胞膜上质子泵是()A、P型质子泵B、V型质子泵C、二种都有

P型半导体中空穴多于电子,说明P型半导体带正电。

MasterpactMT开关有以下几种框架尺寸()A、630-1600AN型3P/4P各一种B、800-4000AH,L型3P/4P各一种C、4000b-6300AH型3P/4P各一种D、100-630AH型3P/4P各一种

非晶硅太阳能电池的基本构造是下列的哪种?()A、梳状电极→减反膜→n型硅→p型硅→反电极B、梳状电极→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SSC、梳状电极→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→导电玻璃D、梳状电极→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS

比较P-型离子泵、V-型质子泵、F-型质子泵。

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

名词解释题F型质子泵。

填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加(),并用金属线把这个()与P型衬底内的()电位相连接。

判断题P、V型质子泵在结构上与钙泵相似,在转运质子的过程中,涉及磷酸化和去磷酸化。A对B错

单选题雷尼替丁属于的药物类别为A p H1受体阻断药 /pB pH2受体阻断药 /pC 质子泵抑制药D 抗酸药E M受体阻断药

单选题质子泵的类型不包括以下哪一种?()AP型BA型CV型DF型

多选题MasterpactMT开关有以下几种框架尺寸()A630-1600AN型3P/4P各一种B800-4000AH,L型3P/4P各一种C4000b-6300AH型3P/4P各一种D100-630AH型3P/4P各一种

问答题比较P-型离子泵、V-型质子泵、F-型质子泵和ABC超家族的异同。