问答题简述LTE随机接入的过程?

问答题
简述LTE随机接入的过程?

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相关考题:

LTE操作中涉及到哪些物理层过程:( )A、小区搜索B、功率控制C、随机接入过程D、HARQ相关过程

简述基于竞争的随机接入过程。

LTE随机接入分为()和()。

TD-LTE系统随机接入过程包括非竞争和()接入过程。

TD-LTE系统中,由eNodeB指派前导码的随机接入过程是()随机接入过程。

LTE中分两种随机接入过程,分别是____的随机接入过程和____的随机接入过程。

LTE的随机接入基本流程。

LTE中分两种随机接入过程,分别是『____』的随机接入过程和『____』的随机接入过程。(There are two kinds of random access procedure in LTE system, respectively based on『____』and『____』random access procedure. )

简述LTE中随机接入信令的流程。

TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()A、竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为;B、竞争随机接入会发RandomAccessPreamble,非竞争随机接入不会发该消息;C、竞争随机接入会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入不会发该消息;D、竞争随机接入不会发RAPreambleassignment,非竞争随机接入会发该消息;

LTE的极限覆盖距离是(),此时使用的随机接入信道格式是(),LTE 一共有()种随机接入信号格式;

TD-LTE中,基于非竞争的随机接入过程,其接入前导的分配是由网络侧分配的。( )

简述LTE随机接入的过程?

简述竞争随机接入过程

简述TD随机接入过程的信令流程。

在LTE典型信令随机接入流程中,UE在PRACH上发送随机接入前缀。

TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()A、竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为B、竞争随机接入会发Random Access Preamble,非竞争随机接入不会发该消息C、竞争随机接入会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入不会发该消息D、竞争随机接入不会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入会发该消息

简述TD-LTE系统中基于竞争的随机接入流程。

下列哪些过程涉及到LTE物理层()A、小区搜索B、功率控制C、随机接入过程D、HARQ相关过程

简述随机接入的过程。

问答题简述TD-LTE系统中基于竞争的随机接入流程。

单选题TD-LTE中,竞争和非竞争随机接入主要区别是()。A竞争随机接入时物理层过程,非竞争随机接入时L3行为B竞争随机接入会发Random Access Preamble,非竞争随机接入不会发该消息C竞争随机接入会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入不会发该消息D竞争随机接入不会发RA Preamble assignment,非竞争随机接入会发该消息

填空题TD-LTE系统随机接入过程包括非竞争和()接入过程。

问答题简述随机接入的过程。

填空题LTE中分两种随机接入过程,分别是()的随机接入过程和()的随机接入过程。

问答题简述竞争随机接入过程

填空题TD-LTE系统中,有Msg0消息的随机接入过程是()随机接入过程。